[发明专利]芯片精度测试平台、单电流测试方法及芯片精度测试方法

权利要求书

1.一种芯片精度测试平台，用于测试芯片及芯片阵列，其特征在于，包括：

电流源，所述电流源能够与所述芯片连接，用于向所述芯片提供电流；

电压源，所述电压源能够与所述芯片连接，用于向所述芯片提供电源电压；温箱，所述温箱内设置待测的芯片，所述温箱温度可调以改变所述芯片的环境温度，用于实现所述芯片的环境温度调节；

数据采集装置，用于选择性的采集所述芯片的输出信号；

工控机，所述工控机用于控制所述电流源、所述电压源、所述温箱、以及所述数据采集装置。

2.根据权利要求1所述的芯片精度测试平台，其特征在于，所述数据采集装置包括多路开关和数据读取记录单元，所述多路开关用于分时选通所述芯片的输出信号，所述数据读取记录单元用于读取和记录所述芯片的输出信号。

3.一种单电流测试方法，其特征在于，包括如下步骤：

(a)设置芯片为预定温度；

(b)将电压源设定为设定值，向芯片提供电源电压；

(c)读取电压源的实际输出值；

(d)将所述实际输出值与所述设定值对比，若偏差值小于或等于许可偏差值，则使电流源按给定原边电流值向芯片提供电流_，电压源持续工作；

(e)等待设定时间，至电流源输出的电流稳定；

(f)多次读取芯片的输出电压值，并获得多个所述输出电压值的平均值；

(g)设置多个预定温度循环进行步骤(a)～(f)测试；

(h)将相同预定温度下得到的芯片的输出电压值的平均值再次取平均值，作为该预定温度下的芯片的输出电压值的标准值。

4.根据权利要求3所述的单电流测试方法，其特征在于，将所述实际输出值与所述设定值对比，若偏差值大于许可偏差值，则通过调整电压源参数改变电压源的实际输出值，使偏差值小于或等于许可偏差值。

5.根据权利要求3所述的单电流测试方法，其特征在于，设置芯片为预定温度的步骤包括：

提供预设温度；

测量所述芯片的实际温度，若所述芯片的实际温度为所述预设温度，则执行步骤(b)。

6.根据权利要求3所述的单电流测试方法，其特征在于，多个预定温度按照如下方式循环：室温、第一升温区域、第一降温区域、室温、第二降温区域、第二升温区域、室温；所述预定温度第三次设置为室温的测试完毕后，循环测试结束。

7.根据权利要求3所述的单电流测试方法，其特征在于，所述许可偏差值小于或等于5mV。

8.根据权利要求3所述的单电流测试方法，其特征在于，所述设定时间大于或等于10ms。

9.一种芯片精度测试方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供给定原边电流值，采用权利要求3-8任意一项所述的单电流测试方法，获得所述给定原边电流值对应的芯片输出电压值的标准值；

所述给定原边电流值采用-IP、-IP/2、0、IP/2、IP依次执行单电流测试，完成全自动测试流程，其中，IP为原边电流值；

从测试数据中提取理想输出电压值、实际输出电压值、传感系数、以及原边电流值，运算并得出总精度误差。