[发明专利]半导体测试结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202211410913.1 | 申请日： | 2022-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN115802743A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 谷东光;常建光;李留洋 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H10B10/00 | 分类号： | H10B10/00;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 赵娟娟 |
| 地址： | 200123 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体测试结构及其制备方法。所述半导体测试结构，包括：第一测试模块，所述第一测试模块包括沿第一方向延伸的至少一第一子测试模块，所述第一子测试模块包括形成于半导体衬底上的多个第一测试单元；多个所述第一测试单元沿所述第一方向间隔排布、且多个所述第一测试单元的关键尺寸沿所述第一方向逐渐改变，以用于在所述第一方向上对半导体器件的不同工艺窗口进行测试。本发明可以对半导体器件的不同工艺窗口进行测试，从而选择适用于目标膜层和/或目标结构的合适关键尺寸以优化工艺窗口，进而采用优化后的工艺窗口应用于相应的半导体器件制程中，以有效提高半导体器件的制备良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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