[发明专利]半导体测试结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：

第一测试模块，所述第一测试模块包括沿第一方向延伸的至少一第一子测试模块，所述第一子测试模块包括形成于半导体衬底上的多个第一测试单元；多个所述第一测试单元沿所述第一方向间隔排布、且多个所述第一测试单元的关键尺寸沿所述第一方向逐渐改变，以用于在所述第一方向上对半导体器件的不同工艺窗口进行测试。

2.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述关键尺寸沿所述第一方向以等差或等比数列形式逐渐增加。

3.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，每一所述第一测试单元包括：

多个第一凹槽，形成于所述半导体衬底的有源区，并沿所述第一方向间隔排布；

第一待测试膜层，形成于所述第一凹槽内；

多个第一栅极结构，形成于所述半导体衬底上并沿所述第一方向间隔排布，其中，每一所述栅极结构与一所述第一待测试膜层相邻设置；

第二待测试膜层，形成于所述第一栅极结构远离所述半导体衬底的表面；

多个第一孔结构，通过采用沿所述第一方向逐渐改变的关键尺寸在所述第一待测试膜层以及所述第二待测试膜层对应区域进行刻蚀形成，并沿所述第一方向间隔排布，每一所述第一孔结构与一所述栅极结构相邻设置。

4.如权利要求3所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一孔结构选自共享接触孔、接触孔或通孔的任意其中之一；所述第一待测试膜层及第二待测试膜层的材料均为金属硅化物。

5.如权利要求3所述的半导体测试结构，其特征在于，通过失效分析检测相应关键尺寸的第一孔结构对应的所述第一待测试膜层在所述有源区的损耗量、所述第二待测试膜层在所述第一栅极结构对应区域的损耗量以及所述第一栅极结构形貌，获取半导体器件在所述第一方向上的工艺窗口测试结果。

6.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一测试模块包括沿所述第一方向延伸并沿第二方向间隔排布的多个第一子测试模块，多个所述第一子测试模块的设置相同；其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。

7.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构还包括第二测试模块，所述第二测试模块包括沿第二方向延伸的至少一第二子测试模块，所述第二子测试模块包括形成于所述半导体衬底上的多个第二测试单元；

多个所述第二测试单元沿所述第二方向间隔排布、且多个所述第二测试单元的关键尺寸沿所述第二方向逐渐改变，以用于在所述第二方向上对半导体器件的不同工艺窗口进行测试；其中，所述第二测试模块与所述第一测试模块相邻，所述第二方向垂直于所述第一方向。

8.如权利要求7所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第二测试模块包括沿所述第二方向延伸并沿所述第一方向间隔排布的多个第二子测试模块，多个所述第二子测试模块的设置相同、并均与所述第一子测试模块的设置相同。

9.如权利要求7所述的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构还包括第三测试模块以及第四测试模块；

所述第三测试模块与所述第一测试模块对角设置、并与所述第二测试模块相邻，其中，所述第三测试模块的设置与所述第一测试模块的设置相同；

所述第四测试模块与所述第二测试模块对角设置、并与所述第一测试模块及所述第三测试模块相邻，其中，所述第四测试模块的设置与所述第二测试模块的设置相同。

10.一种半导体测试结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底；

于所述半导体衬底上形成沿所述第一方向间隔排布的多个第一测试单元，从而形成包括沿第一方向延伸的至少一第一子测试模块的第一测试模块，多个所述第一测试单元的关键尺寸沿所述第一方向逐渐改变，以用于在所述第一方向上对半导体器件的不同工艺窗口进行测试。