[发明专利]半导体结构的制作方法以及半导体结构

摘要

本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构。该方法包括：提供基底，基底包括衬底、第一金属层以及第一隔离结构；在基底的裸露表面上形成间隔设置的多个叠层结构，任意两个相邻的叠层结构之间形成第一凹槽，一个叠层结构包括依次层叠的第一阻挡层、第二金属层以及第二阻挡层；去除第二阻挡层并在多个第一凹槽中形成一一对应的多个第二隔离结构；在多个第二隔离结构以及第二金属层的裸露表面上形成依次层叠的第三金属层和第三阻挡层，第三金属层与第二金属层的材料相同。该方法避免了现有技术中在形成RDL层填充金属时容易形成空洞而影响半导体结构性能的问题。