[发明专利]半导体结构的制作方法以及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底、第一金属层以及第一隔离结构，所述第一金属层位于所述衬底的表面上，多个间隔设置的所述第一隔离结构贯穿在所述第一金属层中，且与所述衬底接触；

在所述基底的裸露表面上形成间隔设置的多个叠层结构，任意两个相邻的所述叠层结构之间形成第一凹槽，所述第一凹槽使得所述第一隔离结构以及所述第一隔离结构两侧的部分所述第一金属层的远离所述衬底的表面裸露，一个所述叠层结构包括依次层叠的第一阻挡层、第二金属层以及第二阻挡层；

去除所述第二阻挡层并在多个所述第一凹槽中形成一一对应的多个第二隔离结构；

在多个所述第二隔离结构以及所述第二金属层的裸露表面上形成依次层叠的第三金属层和第三阻挡层，所述第三金属层与所述第二金属层的材料相同。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基底的裸露表面上形成间隔设置的多个叠层结构，包括：

在所述基底的裸露表面上形成依次层叠的第一预备阻挡层、第二预备金属层以及第二预备阻挡层；

去除部分所述第一预备阻挡层、部分所述第二预备金属层以及部分所述第二预备阻挡层，使得多个所述第一隔离结构以及所述第一隔离结构两侧的部分所述第一金属层的远离所述衬底的表面裸露，剩余的所述第一预备阻挡层形成多个间隔设置的所述第一阻挡层，剩余的所述第二预备金属层形成多个间隔设置的所述第二金属层，剩余的所述第二预备阻挡层形成多个间隔设置的所述第二阻挡层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述第二阻挡层并在多个所述第一凹槽中形成一一对应的多个第二隔离结构，包括：

在多个所述第一凹槽中以及各所述第一凹槽两侧的所述第二阻挡层的远离所述衬底的表面上形成第一介质层；

去除部分所述第一介质层以及所述第二阻挡层，使得各所述第二金属层的远离所述衬底的表面裸露，多个所述第一凹槽中的所述第一介质层形成多个所述第二隔离结构。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在多个所述第一凹槽中以及各所述第一凹槽两侧的所述第二阻挡层的远离所述衬底的表面上形成第一介质层之前，所述方法还包括：

在所述第一凹槽的内壁以及所述第一凹槽两侧的所述第二阻挡层的远离所述衬底的表面上形成第二介质层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，去除所述第二阻挡层并在多个所述第一凹槽中形成一一对应的多个第二隔离结构，包括：

在所述第二介质层的裸露表面上形成第一介质层；

去除部分所述第一介质层、部分所述第二介质层以及所述第二阻挡层，使得各所述第二金属层的远离所述衬底的表面裸露，多个所述第一凹槽中的所述第一介质层和所述第二介质层形成多个所述第二隔离结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供基底，包括：

提供所述衬底；

在所述衬底的裸露表面上形成所述第一金属层；

去除部分所述第一金属层，形成多个第二凹槽，使得部分所述衬底裸露；

在多个所述第二凹槽中形成一一对应的所述第一隔离结构。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在多个所述第二凹槽中形成一一对应的所述第一隔离结构，包括：

在多个所述第二凹槽中以及各所述第二凹槽两侧的所述第一金属层的远离所述衬底的表面上形成第三介质层；

去除部分所述第三介质层，使得所述第一金属层的远离所述衬底的表面裸露，多个所述第二凹槽中的所述第三介质层形成多个所述第一隔离结构。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在多个所述第二隔离结构以及所述第二金属层的裸露表面上形成依次层叠的第三金属层和第三阻挡层之后，所述方法还包括：

在所述第三阻挡层的远离所述衬底的表面上形成依次层叠的氧化层以及第四介质层；

去除部分所述第四介质层、部分所述氧化层以及部分所述第三阻挡层，形成第三凹槽，所述第三凹槽使得部分所述第三金属层裸露。