[发明专利]一种GaN HEMT软开关动态电阻测量电路在审
| 申请号： | 202211369003.3 | 申请日： | 2022-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN115575713A | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 罗景涛 | 申请（专利权）人： | 西安众力为半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/08 | 分类号： | G01R27/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高新区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于功率器件测试技术领域，尤其为一种GaNHEMT软开关动态电阻测量电路，包括直流电源、辅助开关Q1、待测器件Q2、半桥驱动芯片、PWM模块、滤波电感L和负载电容Co以及负载电阻Ro，直流电源的电压范围为3‑10V，直流电源电流等级大于等于20A，直流电源电压设计要求主要用来满足待测器件的源漏电压不超过10V，以保证动态电阻的测试精度,本发明可以测试GaNHEMT在软开关条件下的动态电阻，更贴合实际应用场景,对于在实际应用条件下的GaNHEMT软开关测试有开创性的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 开关 动态 电阻 测量 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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