[发明专利]一种GaN HEMT软开关动态电阻测量电路

权利要求书

1.一种GaN HEMT软开关动态电阻测量电路，其特征在于：包括直流电源、辅助开关Q1、待测器件Q2、半桥驱动芯片、PWM模块、滤波电感L和负载电容Co以及负载电阻Ro。

2.根据权利要求1所述的一种GaN HEMT软开关动态电阻测量电路，其特征在于：直流电源的电压范围为3-10V，直流电源电流等级大于等于20A，直流电源电压设计要求主要用来满足待测器件的源漏电压不超过10V，以保证动态电阻的测试精度。

3.根据权利要求1所述的一种GaN HEMT软开关动态电阻测量电路，其特征在于：辅助开关Q1为高性能GaN HEMT，辅助开关Q1开关速度和电流等级大于等于测试电路的最高工作频率，驱动电压与待测器件相匹配。

4.根据权利要求1所述的一种GaN HEMT软开关动态电阻测量电路，其特征在于：半桥驱动芯片可以为单输入双输出芯片，用以产生两路带死区时间的互补驱动信号，死区时间可调，半桥驱动芯片也可以为双输入双输出的驱动信号，由PWM模块产生死区时间可调的互补驱动信号。

5.根据权利要求1所述的一种GaN HEMT软开关动态电阻测量电路，其特征在于：滤波电感L的感值为2.2μH到10μH之间，滤波电感L的工作频率范围涵盖300KHz-2MHz工作范围。

6.根据权利要求1所述的一种GaN HEMT软开关动态电阻测量电路，其特征在于：负载电容Co的容值大于等于50μF，负载电阻阻值可调，也可为电子负载，以实现测试用驱动脉冲宽度和脉冲数量调整时输出电压的稳定。