[发明专利]一种GaN HEMT软开关动态电阻测量电路

说明书

本发明属于功率器件测试技术领域，尤其为一种GaNHEMT软开关动态电阻测量电路，包括直流电源、辅助开关Q1、待测器件Q2、半桥驱动芯片、PWM模块、滤波电感L和负载电容Co以及负载电阻Ro，直流电源的电压范围为3‑10V，直流电源电流等级大于等于20A，直流电源电压设计要求主要用来满足待测器件的源漏电压不超过10V，以保证动态电阻的测试精度,本发明可以测试GaNHEMT在软开关条件下的动态电阻，更贴合实际应用场景,对于在实际应用条件下的GaNHEMT软开关测试有开创性的作用。

技术领域

本发明属于功率器件测试技术领域，具体涉及一种GaN HEMT软开关动态电阻测量电路。

背景技术

在电力电子系统中，GaN HEMT的导通电阻会随着工作时间、状态的变换出现导通电阻变化的情况，测试需要测量多个周期器件的动态电阻。

而由于示波器测试精度与测试范围呈反比，故此时在测量器件的源漏电压时，需要保证器件关断时和导通时的源漏电压差值较小，以满足测试精度。

根据上述情况，本发明提出了一种设计、改动灵活的软开关测试电路，在测试电路中提出了一种在低压时GaN HEMT软开关动态电阻测量电路，其对直流电源、驱动芯片、辅助开关、滤波电感以及负载均提出了适用测试的范围，可以测试GaN HEMT在软开关条件下的动态电阻，更贴合实际应用场景,对于在实际应用条件下的GaN HEMT软开关测试有开创性的作用。

发明内容

为解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种GaN HEMT软开关动态电阻测量电路，具有可以测试GaN HEMT在软开关条件下的动态电阻，更贴合实际应用场景,对于在实际应用条件下的GaN HEMT软开关测试有开创性的作用的特点。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种GaN HEMT软开关动态电阻测量电路，包括直流电源、辅助开关Q1、待测器件Q2、半桥驱动芯片、PWM模块、滤波电感L和负载电容Co以及负载电阻Ro。

作为本发明的一种GaN HEMT软开关动态电阻测量电路优选技术方案，直流电源的电压范围为3-10V，直流电源电流等级大于等于20A，直流电源电压设计要求主要用来满足待测器件的源漏电压不超过10V，以保证动态电阻的测试精度。

作为本发明的一种GaN HEMT软开关动态电阻测量电路优选技术方案，辅助开关Q1为高性能GaN HEMT，辅助开关Q1开关速度和电流等级大于等于测试电路的最高工作频率，驱动电压与待测器件相匹配。

作为本发明的一种GaN HEMT软开关动态电阻测量电路优选技术方案，半桥驱动芯片可以为单输入双输出芯片，用以产生两路带死区时间的互补驱动信号，死区时间可调，半桥驱动芯片也可以为双输入双输出的驱动信号，由PWM模块产生死区时间可调的互补驱动信号。

作为本发明的一种GaN HEMT软开关动态电阻测量电路优选技术方案，滤波电感L的感值为2.2μH到10μH之间，滤波电感L的工作频率范围涵盖300KHz-2MHz工作范围。

作为本发明的一种GaN HEMT软开关动态电阻测量电路优选技术方案，负载电容Co的容值大于等于50μF，负载电阻阻值可调，也可为电子负载，以实现测试用驱动脉冲宽度和脉冲数量调整时输出电压的稳定。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明主要由直流电源、辅助开关Q1、待测器件Q2、半桥驱动芯片、PWM模块、滤波电感L和负载电容Co以及负载电阻Ro组成，可以测试GaN HEMT在软开关条件下的动态电阻，更贴合实际应用场景,对于在实际应用条件下的GaN HEMT软开关测试有开创性的作用。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：