[发明专利]半导体结构的制造方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202211350754.0 | 申请日： | 2022-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN115565946A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 刘欢;严勋 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，半导体结构的制造方法包括在贯穿导电层的第一开口中形成第一介质层，其中，第一介质层覆盖第一开口的底面及侧面和导电层的顶面，且位于第一开口内的第一介质层围成第二初始开口，第二初始开口顶部的宽度小于第二初始开口中部的宽度，并刻蚀以减薄位于第一开口内的第一介质层，使得由第一开口内剩余第一介质层围成第二开口，其顶部的宽度小于其中部的宽度，还在减薄后的第一介质层上形成第二介质层，第二介质层封堵第二开口顶部，从而通过位于第二开口内的第二介质层以及位于第二开口顶部的第二介质层围成气隙。如此，本公开实施例至少可以形成具有较大宽度的气隙以减小寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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