[发明专利]半导体结构的制造方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底以及位于所述基底上的导电层，其中，所述导电层具有贯穿所述导电层的第一开口；

形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述第一开口的底面和侧面，且还位于所述导电层的顶面，其中，位于所述第一开口内的所述第一介质层围成第二初始开口，所述第二初始开口顶部的宽度小于所述第二初始开口中部的宽度；

刻蚀以减薄位于所述第一开口内的所述第一介质层，其中，位于所述第一开口内的剩余的所述第一介质层围成第二开口，所述第二开口顶部的宽度小于所述第二开口中部的宽度；

形成第二介质层，所述第二介质层覆盖剩余的所述第一介质层且还封堵所述第二开口顶部，位于所述第二开口内的所述第二介质层以及位于所述第二开口顶部的所述第二介质层围成气隙。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在刻蚀以减薄位于所述第一开口内的所述第一介质层之前，还包括：

在所述第一介质层表面形成牺牲层，其中，位于所述导电层顶面上的所述牺牲层具有第一厚度，位于所述第二初始开口侧面上的所述牺牲层具有第二厚度，位于所述第二初始开口底部的所述牺牲层具有第三厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度，所述第一厚度还大于所述第三厚度；

在刻蚀以减薄位于所述第一开口内的所述第一介质层之前，还刻蚀所述牺牲层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，刻蚀以减薄位于所述第一开口内的所述第一介质层的步骤，还包括：

响应于位于所述导电层顶面上的所述牺牲层被完全刻蚀去除，停止刻蚀位于所述第一开口内的所述第一介质层。

4.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述牺牲层的工艺包括物理气相沉积或化学气相沉积。

5.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括Ti或TiN。

6.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在同一工艺步骤中，采用湿法刻蚀工艺，刻蚀所述牺牲层以及位于所述第一开口内的所述第一介质层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在刻蚀以减薄位于所述第一开口内的所述第一介质层之前，形成于所述导电层顶面的所述第一介质层具有第四厚度，形成于所述第一开口顶部的所述第一介质层具有第五厚度，形成于所述第一开口中部的所述第一介质层具有第六厚度，形成于所述第一开口底面的所述第一介质层具有第七厚度，其中，所述第五厚度大于所述第四厚度，所述第五厚度大于所述第六厚度，所述第五厚度大于所述第七厚度。

8.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在刻蚀以减薄位于所述第一开口内的所述第一介质层之后，位于所述第一开口侧面上的第一介质层被减薄，位于所述第一开口底面上的所述第一介质层被去除。

9.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成的所述第二开口的底面低于所述导电层的底面。

10.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第一介质层的工艺与形成所述第二介质层的工艺相同。

11.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成的所述气隙的底部低于所述导电层的底面，且形成的所述气隙的顶部高于所述导电层的顶面。