[发明专利]发光二极管在审
| 申请号： | 202211342238.3 | 申请日： | 2022-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN115911210A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 朱秀山;李燕;陈吉;荆琪;卢志龙;蔡吉明;凃如钦;张中英 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/62;H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管，包括：半导体叠层，包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；第三绝缘层，位于所述半导体叠层之上；所述第三绝缘层具有第四开口部和第五开口部；第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极具有远离所述半导体叠层的上边缘和靠近所述半导体叠层的下边缘，所述第二焊盘电极具有远离所述半导体叠层的上边缘和靠近所述半导体叠层的下边缘，所述第一焊盘电极的下边缘与所述第四开口部之间具有第一最大水平距离，所述第二焊盘电极的下边缘与所述第五开口部之间具有第二最大水平距离，所述第一最大水平距离小于2μm，所述第二最大水平距离小于2μm。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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