[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

半导体叠层，包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；

第三绝缘层，位于所述半导体叠层之上；所述第三绝缘层具有第四开口部和第五开口部；

第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极形成于所述第四开口部内与所述第一半导体层电连接，所述第二焊盘电极形成于所述第五开口部内与所述第二半导体层电连接，所述第一焊盘电极具有远离所述半导体叠层的上边缘和靠近所述半导体叠层的下边缘，所述第二焊盘电极具有远离所述半导体叠层的上边缘和靠近所述半导体叠层的下边缘，所述第一焊盘电极的下边缘与所述第四开口部之间具有第一最大水平距离，所述第二焊盘电极的下边缘与所述第五开口部之间具有第二最大水平距离，所述第一最大水平距离小于2μm，所述第二最大水平距离小于2μm。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，所述第一焊盘电极的下边缘与所述第四口部之间具有第一最小水平距离，所述第二焊盘电极的下边缘与所述第五开口部之间具有第二最小水平距离，所述第一最小水平距离为所述第一最大水平距离的50%~150%，所述第二最小水平距离为所述第二最大水平距离的50%~150%。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，所述第一焊盘电极的下边缘与所述第四开口部之间的间距相等，所述第二焊盘电极的下边缘与所述第五开口部之间的间距相等。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，第一焊盘电极远离所述半导体叠层表面高于所述第三绝缘层远离所述半导体叠层表面，第二焊盘电极远离所述半导体叠层表面高于所述第三绝缘层远离所述半导体叠层表面。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极与所述第一半导体层电连接，所述第二连接电极与所述第二半导体层电连接，所述第一连接电极的面积大于所述第二连接电极的面积。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括第一台面和第二台面，所述第一台面位于所述半导体叠层的边缘区域露出所述第一半导体层的第一表面，所述第二台面位于所述半导体叠层的内部露出所述第一半导体层的第二表面。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括反射电极层，反射电极层形成于所述半导体叠层上，所述反射电极层的边缘与所述第二半导体层边缘之间的水平距离为1~5μm。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，还包括第四绝缘层，所述第四绝缘层形成于所述反射电极层上，所述第四绝缘层为氧化铝。

9.根据权利要求7所述的发光二极管，所述反射电极层包括金属反射层和金属保护层，所述金属保护层包含形成于所述金属反射层上表面的上部和形成于所述金属反射层侧面的侧部。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，所述金属反射层的厚度为100~200nm，所述金属保护层的厚度为100~500nm。

11.根据权利要求7所述的发光二极管，还包括透明导电层，形成于所述半导体叠层之上，所述透明导电层在所述半导体叠层生长方向上的投影位于所述反射电极层在所述半导体叠层生长方向上的投影内。

12.根据权利要求6所述的发光二极管，还包括绝缘层，所述绝缘层形成于所述半导体叠层上，所述绝缘层包括第六开口部形成于所述第一台面上露出所述第一半导体层的第一表面。

13.根据权利要求12所述的发光二极管，所述发光二极管具有四个角落，所述第六开口部位于所述角落上。

14.根据权利要求12所述的发光二极管，所述第六开口部具有第一段和第二段，所述第一段与所述第二段为连续结构。

15.根据权利要求12所述的发光二极管，所述绝缘层包含氧化铝。