[发明专利]发光二极管

说明书

本发明公开了一种发光二极管，包括：半导体叠层，包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；第三绝缘层，位于所述半导体叠层之上；所述第三绝缘层具有第四开口部和第五开口部；第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极具有远离所述半导体叠层的上边缘和靠近所述半导体叠层的下边缘，所述第二焊盘电极具有远离所述半导体叠层的上边缘和靠近所述半导体叠层的下边缘，所述第一焊盘电极的下边缘与所述第四开口部之间具有第一最大水平距离，所述第二焊盘电极的下边缘与所述第五开口部之间具有第二最大水平距离，所述第一最大水平距离小于2μm，所述第二最大水平距离小于2μm。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管制造技术领域，特别是涉及一种发光二极管。

背景技术

发光二极管(英文Light Emitting Diode，简称LED)包含有不同的发光材料及发光部件，是一种固态半导体发光二极管。它因成本低、功耗低、光效高、体积小、节能环保、具有良好的光电特性等优点而被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等各种场景。

发明内容

为达本发明中的至少一个优点或其他优点，本发明的一实施例提出一种发光二极管，包括：半导体叠层，包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；第三绝缘层，位于所述半导体叠层之上；所述第三绝缘层具有第四开口部和第五开口部；第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述第一焊盘电极形成于所述第四开口部内与所述第一半导体层电连接，所述第二焊盘电极形成于所述第五开口部内与所述第二半导体层电连接，所述第一焊盘电极具有远离所述半导体叠层的上边缘和靠近所述半导体叠层的下边缘，所述第二焊盘电极具有远离所述半导体叠层的上边缘和靠近所述半导体叠层的下边缘，所述第一焊盘电极的下边缘与所述第四开口部之间具有第一最大水平距离，所述第二焊盘电极的下边缘与所述第五开口部之间具有第二最大水平距离，所述第一最大水平距离小于2μm，所述第二最大水平距离小于2μm。

本发明的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变 得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他有益效果可通过在说明书、 权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据 这些附图获得其他的附图；在下面描述中附图所述的位置关系，若无特别指明，皆是图示中组件绘示的方向为基准。

图1为本发明第一实施例所揭示的发光二极管1的剖面图；

图2至图29为本发明第二实施例所揭示的发光二极管2的制造方法各步骤所呈现的结构示意图。

图30为本发明第三实施例所揭示的发光二极管3的俯视图；

图31为图30所揭示的发光二极管3的局部放大示意图；

图32为沿图30线段I-I’所揭示的发光二极管3的剖面图；

图33为图32所揭示的发光二极管3的局部放大示意图；

图34为本发明第四实施例所揭示的发光二极管4的剖面图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的 附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本 发明一部分实施例，而不是全部的实施例；下面所描述的本发明不同实施方式中所设计的 技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合；基于本发明中的实施例，本领域普通 技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。