[发明专利]一种SOI晶圆芯片的分离方法在审
| 申请号： | 202211322910.2 | 申请日： | 2022-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN115818560A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 张宾;李若朋;陈新准;庄磊;朱瑞;陈善任;程元红;肖钧尹;钟文兵 | 申请（专利权）人： | 广州奥松电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 广州鲁粤专利代理事务所(普通合伙) 44887 | 代理人： | 吴满宏 |
| 地址： | 510530 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种SOI晶圆芯片的分离方法，包括如下步骤：按常规方法利用SOI晶圆制备应变计结构，在应变计的电极的表面镀抗腐蚀保护层，腐蚀SOI晶圆的中间层氧化硅层，脱去衬底硅，分离得到芯片。本发明的SOI晶圆芯片分离方法通过在芯片上建立了一种“侧壁保护层Si |
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| 搜索关键词： | 一种 soi 芯片 分离 方法 | ||
【主权项】：
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