[发明专利]台面型焦平面芯片及其制备方法在审
申请号: | 202211295435.4 | 申请日: | 2022-10-21 |
公开(公告)号: | CN115548041A | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | 黄晟;黄立;朱晓彤;金迎春;丁颜颜 | 申请(专利权)人: | 武汉高芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 张小丽 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种台面型焦平面芯片的制备方法,包括S1,于基底上形成若干像元凸台,相邻的像元凸台间隔设置;S2,在每一像元凸台的表面制作电极,电极至少部分延伸至像元凸台的侧壁上;S3,将带有若干凸点的读出电路与步骤S2所形成的结构倒装互连,使每一凸点伸入间隔并与其中一个像元凸台上的电极电连接。还提供一种台面型焦平面芯片,台面型敏感阵列与读出电路倒装互连,台面型敏感阵列包括基底和若干像元凸台,相邻的像元凸台间隔设置,每一像元凸台均设有电极,电极至少部分延伸至间隔中并覆盖于像元凸台的侧壁上。本发明通过去掉像元凸台上的凸点,采用大面积的电极与读出电路的凸点互连,解决凸点与凸点互连产生的若干问题。 | ||
搜索关键词: | 台面 平面 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的