[发明专利]台面型焦平面芯片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202211295435.4 申请日: 2022-10-21
公开(公告)号: CN115548041A 公开(公告)日: 2022-12-30
发明(设计)人: 黄晟;黄立;朱晓彤;金迎春;丁颜颜 申请(专利权)人: 武汉高芯科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 张小丽
地址: 430205 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种台面型焦平面芯片的制备方法,包括S1,于基底上形成若干像元凸台,相邻的像元凸台间隔设置;S2,在每一像元凸台的表面制作电极,电极至少部分延伸至像元凸台的侧壁上;S3,将带有若干凸点的读出电路与步骤S2所形成的结构倒装互连,使每一凸点伸入间隔并与其中一个像元凸台上的电极电连接。还提供一种台面型焦平面芯片,台面型敏感阵列与读出电路倒装互连,台面型敏感阵列包括基底和若干像元凸台,相邻的像元凸台间隔设置,每一像元凸台均设有电极,电极至少部分延伸至间隔中并覆盖于像元凸台的侧壁上。本发明通过去掉像元凸台上的凸点,采用大面积的电极与读出电路的凸点互连,解决凸点与凸点互连产生的若干问题。
搜索关键词: 台面 平面 芯片 及其 制备 方法
【主权项】:
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