[发明专利]台面型焦平面芯片及其制备方法

说明书

本发明涉及一种台面型焦平面芯片的制备方法，包括S1，于基底上形成若干像元凸台，相邻的像元凸台间隔设置；S2，在每一像元凸台的表面制作电极，电极至少部分延伸至像元凸台的侧壁上；S3，将带有若干凸点的读出电路与步骤S2所形成的结构倒装互连，使每一凸点伸入间隔并与其中一个像元凸台上的电极电连接。还提供一种台面型焦平面芯片，台面型敏感阵列与读出电路倒装互连，台面型敏感阵列包括基底和若干像元凸台，相邻的像元凸台间隔设置，每一像元凸台均设有电极，电极至少部分延伸至间隔中并覆盖于像元凸台的侧壁上。本发明通过去掉像元凸台上的凸点，采用大面积的电极与读出电路的凸点互连，解决凸点与凸点互连产生的若干问题。

技术领域

本发明涉及红外焦平面芯片技术领域，具体为一种台面型焦平面芯片及其制备方法。

背景技术

现有红外焦平面芯片主要有平面结和台面结两种结构。其中台面结型焦平面芯片，是将读出电路的凸点与台面型敏感阵列的凸点，在垂直方向上对其倒焊互连而成的。

但倒装焊互连的效果(良率)受凸点尺寸、倒装焊互连精度影响。已有技术情况下，存在如下问题：

1、凸点是制备在台面型敏感阵列的像元凸台的顶部的，因此其尺寸受顶部的面积限制，凸点尺寸不满足要求时，很容易导致互连不通；

2、随着像元变小，互连的精度要求越来越高，会出现读出电路的凸点与台面型敏感阵列的凸点产生侧滑的现象，导致读出电路的凸点与台面型敏感阵列的凸点无法互连，会出现精度无法保证，倒装焊互连良率不满足量产要求。

因此，由于上述两点的限制，小像元尺寸情况下，台面型敏感阵列的像元凸台的顶部制备凸点难度较高，同时倒装焊侧滑概率较大，互连良率下降，无法满足互连要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种台面型焦平面芯片及其制备方法，至少可以解决现有技术中的部分缺陷。

为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：一种台面型焦平面芯片的制备方法，包括如下步骤：

S1，于基底上形成若干像元凸台，相邻的像元凸台间隔设置；

S2，在每一所述像元凸台的表面制作电极，所述电极至少部分延伸至所述像元凸台的侧壁上；

S3，将带有若干凸点的读出电路与步骤S2所形成的结构倒装互连，使每一所述凸点伸入所述间隔并与其中一个所述像元凸台上的电极电连接。

进一步，制作所述电极时，使所述电极一部分位于所述像元凸台的顶部，另一部分位于所述像元凸台的侧壁。

进一步，制备的所述像元凸台为棱台，所述像元凸台具有多个侧壁，所述电极延伸至所述像元凸台的相邻两个侧壁上。

进一步，所述凸点为倒置的台体，所述凸点插入所述间隔且侧面与所述电极电连接。

进一步，所述凸点插入在相邻四个像元凸台之间的间隔中。

进一步，在制作电极前先完成像元凸台的钝化以及在像元凸台顶面形成钝化开孔，所述电极从所述像元凸台的钝化开孔处延伸至所述像元凸台的侧壁上。

进一步，各所述像元凸台的电极的分布方位一致。

进一步，制作电极的具体方式为：

通过光刻工艺在像元凸台表面除电极图形外的区域涂覆光刻胶；

通过电子束镀膜，在所述像元凸台上生长金属层；

生长完毕后，去除光刻胶以及光刻胶上的金属层，即可在所述电极图形处形成独立的电极。