[发明专利]台面型焦平面芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种台面型焦平面芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，于基底上形成若干像元凸台，相邻的像元凸台间隔设置；

S2，在每一所述像元凸台的表面制作电极，所述电极至少部分延伸至所述像元凸台的侧壁上；

S3，将带有若干凸点的读出电路与步骤S2所形成的结构倒装互连，使每一所述凸点伸入所述间隔并与其中一个所述像元凸台上的电极电连接。

2.如权利要求1所述的台面型焦平面芯片的制备方法，其特征在于：制作所述电极时，使所述电极一部分位于所述像元凸台的顶部，另一部分位于所述像元凸台的侧壁。

3.如权利要求1所述的台面型焦平面芯片的制备方法，其特征在于：制备的所述像元凸台为棱台，所述像元凸台具有多个侧壁，所述电极延伸至所述像元凸台的相邻两个侧壁上。

4.如权利要求1或3所述的台面型焦平面芯片的制备方法，其特征在于：所述凸点为倒置的台体，所述凸点插入所述间隔且侧面与所述电极电连接。

5.如权利要求1所述的台面型焦平面芯片的制备方法，其特征在于：所述凸点插入在相邻四个像元凸台之间的间隔中。

6.如权利要求1所述的台面型焦平面芯片的制备方法，其特征在于：在制作电极前先完成像元凸台的钝化以及在像元凸台顶面形成钝化开孔，所述电极从所述像元凸台的钝化开孔处延伸至所述像元凸台的侧壁上。

7.如权利要求1所述的台面型焦平面芯片的制备方法，其特征在于：各所述像元凸台的电极的分布方位一致。

8.如权利要求1所述的台面型焦平面芯片的制备方法，其特征在于，制作电极的具体方式为：

通过光刻工艺在像元凸台表面除电极图形外的区域涂覆光刻胶；

通过电子束镀膜，在所述像元凸台上生长金属层；

生长完毕后，去除光刻胶以及光刻胶上的金属层，即可在所述电极图形处形成独立的电极。

9.一种台面型焦平面芯片，包括读出电路以及台面型敏感阵列，所述台面型敏感阵列与所述读出电路倒装互连，其特征在于：所述台面型敏感阵列包括基底以及于所述基底上形成若干像元凸台，相邻的所述像元凸台间隔设置，每一所述像元凸台均设有电极，所述电极至少部分延伸至所述间隔中并覆盖于所述像元凸台的侧壁上，所述读出电路上的凸点插入所述间隔且所述凸点与其中一个所述像元凸台上的电极电连接。

10.如权利要求9所述的台面型焦平面芯片，其特征在于：所述像元凸台为棱台，所述像元凸台具有多个侧壁，所述电极延伸至所述像元凸台的相邻两个侧壁上，所述凸点为倒置的台体，所述凸点插入所述间隔且侧面与所述电极电连接。