[发明专利]一种具有P型栅的增强型MIS栅控功率器件在审
| 申请号： | 202211249368.2 | 申请日： | 2022-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN115548107A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 易波;张芷宁;徐艺 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/78;H01L21/34 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，涉及高压半导体器件，具体提供一种具有P型栅的增强型MIS栅控功率器件，用以克服现有Fin‑gate器件存在的如Fin宽度较窄、工艺难度高、阈值电压低等缺点。本发明在Fin‑gate结构的宽禁带或超宽禁带功率半导体器件中，首次采用P型宽禁带半导体区作为栅极导体，利用P型宽禁带半导体的功函数比金属高得多的特性，深度耗尽两个gate之间的半导体区，提高沟道区电子势垒，从而获得高阈值电压；并且，基于该结构，Fin的宽度能够比传统结构更宽，从而降低工艺难度，降低制作成本。最终，本发明具有P型栅的增强型MIS栅控功率器件具有阈值电压高、击穿电压高、Fin宽度大、制备工艺简单及成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 增强 mis 功率 器件 | ||
【主权项】：
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