[发明专利]主动元件基板、电容装置以及主动元件基板的制造方法在审
| 申请号: | 202211225680.8 | 申请日: | 2022-10-09 |
| 公开(公告)号: | CN115548031A | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
| 发明(设计)人: | 黄震铄;吴尚霖;陈国光;蔡志鸿 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/64 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王锐 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明公开一种主动元件基板、电容装置以及主动元件基板的制造方法,其中该主动元件基板,包括基板以及位于基板之上的第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一金属氧化物层、第一栅极、第一源极以及第一漏极。第一栅介电层以及第二栅介电层位于第一栅极与第一金属氧化物层之间。第二薄膜晶体管包括第二金属氧化物层、第二栅极、第二源极以及第二漏极。第二栅介电层位于第二栅极与第二金属氧化物层之间,且第二金属氧化物层位于第一栅介电层与第二栅介电层之间。第一栅极与第二栅极属于同一图案化层。 | ||
| 搜索关键词: | 主动 元件 电容 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





