[发明专利]主动元件基板、电容装置以及主动元件基板的制造方法

说明书

本发明公开一种主动元件基板、电容装置以及主动元件基板的制造方法，其中该主动元件基板，包括基板以及位于基板之上的第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一金属氧化物层、第一栅极、第一源极以及第一漏极。第一栅介电层以及第二栅介电层位于第一栅极与第一金属氧化物层之间。第二薄膜晶体管包括第二金属氧化物层、第二栅极、第二源极以及第二漏极。第二栅介电层位于第二栅极与第二金属氧化物层之间，且第二金属氧化物层位于第一栅介电层与第二栅介电层之间。第一栅极与第二栅极属于同一图案化层。

技术领域

本发明涉及一种主动元件基板、电容装置以及主动元件基板的制造方法。

背景技术

一般而言，一个电子装置中通常包含了许多不同用途的主动元件或被动元件。为了制造不同特性的主动元件或被动元件，往往需要执行多次的沉积制作工艺与多次的掺杂制作工艺，这导致电子装置的生产成本高，且生产时间长。

发明内容

本发明提供一种主动(有源)元件基板及其制造方法，主动元件基板整合了第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管，且具有生产成本低的优点。

本发明提供一种电容装置，可以通过第一缓冲层中的氢元素对第一金属氧化物层进行掺杂，进而降低第一金属氧化物层的电阻率。

本发明的至少一实施例提供一种主动元件基板。主动元件基板包括基板以及位于基板之上的第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一金属氧化物层、第一栅极、第一源极以及第一漏极。第一栅介电层以及第二栅介电层位于第一栅极与第一金属氧化物层之间。第一源极以及第一漏极电连接第一金属氧化物层。第二薄膜晶体管包括第二金属氧化物层、第二栅极、第二源极以及第二漏极。第二栅介电层位于第二栅极与第二金属氧化物层之间，且第二金属氧化物层位于第一栅介电层与第二栅介电层之间。第一栅极与第二栅极属于同一图案化层。第二源极以及第二漏极电连接第二金属氧化物层。

本发明的至少一实施例提供一种电容装置。电容装置包括基板、第一缓冲层、第一金属氧化物层、第一介电层以及第二金属氧化物层。第一缓冲层位于基板之上，且第一缓冲层中含有氢元素。第一金属氧化物层接触第一缓冲层的上表面。第一介电层位于第一金属氧化物层上。第二金属氧化物层位于第一介电层上，且至少部分重叠于第一金属氧化物层。第一金属氧化物层的电阻率不同于第二金属氧化物层的电阻率。

本发明的至少一实施例提供一种主动元件基板。主动元件基板包括基板以及位于基板之上的第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一金属氧化物层、第一栅极、第一源极以及第一漏极。第一栅介电层、第二栅介电层、第三栅介电层以及第四栅介电层位于第一栅极与第一金属氧化物层之间。第一源极以及第一漏极电连接第一金属氧化物层。第二薄膜晶体管包括第二金属氧化物层、第二栅极、第二源极以及第二漏极。第三栅介电层以及第四栅介电层位于第二栅极与第二金属氧化物层之间。第二金属氧化物层位于第二栅介电层与第三栅介电层之间。第二栅介电层的氧浓度以及第三栅介电层的氧浓度高于第一栅介电层的氧浓度。第二源极以及第二漏极电连接第二金属氧化物层。

本发明的至少一实施例提供一种一种主动元件基板的制造方法，包括：形成第一金属氧化物层于基板之上；形成第一栅介电层于第一金属氧化物层之上；形成第二栅介电层于第一栅介电层之上，其中形成第二栅介电层时的制作工艺温度低于形成第一栅介电层时的制作工艺温度，且第二栅介电层的氧浓度高于第一栅介电层的氧浓度；形成第二金属氧化物层于第二栅介电层之上；形成第三栅介电层于第二金属氧化物层之上，其中形成第三栅介电层时的制作工艺温度低于形成第一栅介电层时的制作工艺温度，且第三栅介电层的氧浓度高于第一栅介电层的氧浓度；形成第四栅介电层于第三栅介电层上；形成第一栅极以及第二栅极于第四栅介电层之上，其中第一栅介电层、第二栅介电层、第三栅介电层以及第四栅介电层位于第一栅极与第一金属氧化物层之间，且第三栅介电层以及第四栅介电层位于第二栅极与第二金属氧化物层之间；形成电连接第一金属氧化物层的第一源极以及第一漏极；形成电连接第二金属氧化物层的第二源极以及第二漏极。

附图说明