[发明专利]主动元件基板、电容装置以及主动元件基板的制造方法

权利要求书

1.一种主动元件基板，包括：

基板；

第一薄膜晶体管，位于该基板之上，且包括：

第一金属氧化物层；

第一栅极，其中第一栅介电层以及第二栅介电层位于该第一栅极与该第一金属氧化物层之间；以及

第一源极以及第一漏极，电连接该第一金属氧化物层；以及

第二薄膜晶体管，位于该基板之上，且包括：

第二金属氧化物层；

第二栅极，其中该第二栅介电层位于该第二栅极与该第二金属氧化物层之间，且该第二金属氧化物层位于该第一栅介电层与该第二栅介电层之间，其中该第一栅极与该第二栅极属于同一图案化层；以及

第二源极以及第二漏极，电连接该第二金属氧化物层。

2.如权利要求1所述的主动元件基板，其中该第一栅介电层包括第一介电结构以及第二介电结构，其中该第一介电结构位于该第一栅极与该第一金属氧化物层之间，且该第二介电结构位于该第二金属氧化物层与该基板之间。

3.如权利要求2所述的主动元件基板，还包括：

第一缓冲层，位于该基板之上，且该第一缓冲层中含有氢元素；以及

第二缓冲层，位于该第一缓冲层上，且该第二缓冲层中含有氧元素，其中该第二缓冲层包括：

第一含氧结构，位于该第一金属氧化物层与该第一缓冲层之间；以及

第二含氧结构，位于该第二介电结构与该第一缓冲层之间，其中该第二金属氧化物层接触该第二介电结构的顶面、该第二介电结构的侧面、该第二含氧结构的侧面以及该第一缓冲层的顶面。

4.如权利要求3所述的主动元件基板，还包括：

第一底栅极，位于该第一缓冲层与该基板之间，且该第一金属氧化物层位于该第一栅极与该第一底栅极之间；以及

第二底栅极，位于该第一缓冲层与该基板之间，且该第二金属氧化物层位于该第二栅极与该第二底栅极之间。

5.如权利要求1所述的主动元件基板，还包括：

第一缓冲层，位于该基板之上，且该第一缓冲层中含有氢元素；以及

第二缓冲层，位于该第一缓冲层上，且该第二缓冲层中含有氧元素，其中该第二缓冲层包括：

第一含氧结构，位于该第一金属氧化物层与该第一缓冲层之间，其中该第一金属氧化物层接触该第一含氧结构的顶面、该第一含氧结构的侧面以及该第一缓冲层的顶面；以及

第二含氧结构，位于该第二金属氧化物层与该第一缓冲层之间，其中该第二金属氧化物层接触该第一栅介电层的顶面。

6.如权利要求1所述的主动元件基板，其中该第一金属氧化物层包括第一漏极区、第一源极区、第一沟道区、位于该第一漏极区与该第一沟道区之间的第一电阻渐变区以及位于该第一源极区与该第一沟道区之间的第二电阻渐变区，其中该第一沟道区与该基板之间的距离大于该第一漏极区与该基板之间的距离以及该第一源极区与该基板之间的距离。

7.如权利要求1所述的主动元件基板，其中：

该第二金属氧化物层包括第二漏极区、第二源极区、第二沟道区、位于该第二漏极区与该第二沟道区之间的第三电阻渐变区以及位于该第二源极区与该第二沟道区之间的第四电阻渐变区，其中该第二沟道区与该基板之间的距离大于该第二沟道区与该第二漏极区之间的距离以及该第二沟道区与该第二源极区之间的距离。

8.如权利要求1所述的主动元件基板，其中该第一栅介电层与该第二栅介电层包括氧化物或氮氧化物。

9.一种电容装置，包括：

基板；

第一缓冲层，位于该基板之上，且该第一缓冲层中含有氢元素；

第一金属氧化物层，接触该第一缓冲层的上表面；

第一介电层，位于该第一金属氧化物层上；以及

第二金属氧化物层，位于该第一介电层上，且至少部分重叠于该第一金属氧化物层，其中该第一金属氧化物层的电阻率不同于该第二金属氧化物层的电阻率。