[发明专利]具有竖直结构的存储器件和包括存储器件的存储系统在审
| 申请号： | 202211224032.0 | 申请日： | 2022-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN116153348A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 金昶汎;金成勋;边大锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C5/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴晓兵;倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储器件包括第一下半导体层和第二下半导体层。第一下半导体层设置在包括第一存储单元阵列的第一上半导体层的下方。第一下半导体层包括与第一存储单元阵列电连接的第一页缓冲器。第二下半导体层设置在第二上半导体层的下方，该第二上半导体层包括第二存储单元阵列并在第一方向上与第一上半导体层相邻设置。第二下半导体层包括第二页缓冲器的第一部分，第二页缓冲器电连接到第二存储单元阵列并在第一方向上与第一下半导体层相邻设置。第一下半导体层还包括第二页缓冲器的第二部分，该第二部分与第一部分不同。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 竖直 结构 存储 器件 包括 存储系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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