[发明专利]具有竖直结构的存储器件和包括存储器件的存储系统

说明书

一种存储器件包括第一下半导体层和第二下半导体层。第一下半导体层设置在包括第一存储单元阵列的第一上半导体层的下方。第一下半导体层包括与第一存储单元阵列电连接的第一页缓冲器。第二下半导体层设置在第二上半导体层的下方，该第二上半导体层包括第二存储单元阵列并在第一方向上与第一上半导体层相邻设置。第二下半导体层包括第二页缓冲器的第一部分，第二页缓冲器电连接到第二存储单元阵列并在第一方向上与第一下半导体层相邻设置。第一下半导体层还包括第二页缓冲器的第二部分，该第二部分与第一部分不同。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2021年11月22日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2021-0161493的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明构思涉及一种存储器件，并且更具体地，涉及一种具有竖直结构的存储器件以及一种包括该存储器件的存储系统。

背景技术

存储器件用于存储数据并且被分类为易失性存储器件和非易失性存储器件。例如，作为非易失性存储器件的示例的闪存设备可以用于移动电话、数码相机、便携式数字助理(PDA)、便携式计算机设备、固定计算机设备和其他设备。

存储单元可以三维地堆叠并且存储单元的尺寸可以减小以提高非易失性存储器件的集成度。因此，非易失性存储器件中包括的用于操作和电连接的操作电路和布线结构变得复杂。

发明内容

本发明构思的至少一个实施例提供了一种存储器件，其中第一下半导体层被配置为包括页缓冲器的至少一部分，使得形成在第二下半导体层中的内部外围电路区的宽度较大。

根据本发明构思的实施例，提供了一种存储器件，该存储器件包括：第一下半导体层，设置在包括第一存储单元阵列的第一上半导体层的下方，第一下半导体层包括与第一存储单元阵列电连接的第一页缓冲器；以及第二下半导体层，设置在第二上半导体层的下方，第二上半导体层包括第二存储单元阵列并在第一方向上与第一上半导体层相邻设置，第二下半导体层包括第二页缓冲器的第一部分，该第二页缓冲器电连接到第二存储单元阵列并在第一方向上与第一下半导体层相邻设置。第一下半导体层还包括第二页缓冲器的第二其他部分。

根据本发明构思的实施例，提供了一种存储器件，该存储器件包括：第一下半导体层，与包括第一存储单元阵列的第一上半导体层重叠，并包括与第一存储单元阵列电连接的第一页缓冲器；第二下半导体层，与包括第二存储单元阵列并在第一方向上与第一上半导体层相邻的第二上半导体层重叠，并且包括第二页缓冲器的第一部分，该第二页缓冲器电连接到第二存储单元阵列；第三下半导体层，与包括第三存储单元阵列并在与第一方向垂直的第二方向上与第一上半导体层相邻的第三上半导体层重叠，并且包括与第三存储单元阵列电连接的第三页缓冲器；以及第四下半导体层，与第四上半导体层重叠，并且包括第四页缓冲器的第一部分，第四上半导体层包括第四存储单元阵列并在第一方向上与第三上半导体层相邻并在第二方向上与第二上半导体层相邻，该第四页缓冲器电连接到第四存储单元阵列。第一下半导体层包括第二页缓冲器的第二部分，该第二部分与第二页缓冲器的第一部分不同。第三下半导体层包括第四页缓冲器的第二部分，该第二部分与第四页缓冲器的第一部分不同。

根据本发明构思的实施例，提供了一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括：第一下半导体层，设置在包括第一存储单元阵列的第一上半导体层的下方，第一下半导体层在竖直方向上与第一上半导体层重叠；以及第二下半导体层，设置在包括第二存储单元阵列并在第一方向上与第一上半导体层相邻设置的第二上半导体层的下方，第二下半导体层在竖直方向上与第二上半导体层重叠。第一下半导体层包括：第一页缓冲器，设置在与第一方向垂直的第二方向上，并电连接到第一存储单元阵列；多个高速缓存锁存器，设置在第二方向上并在第一方向上与第一页缓冲器间隔开，并且设置在与第二存储单元阵列电连接的第二页缓冲器的边缘处以在竖直方向上与第一上半导体层重叠；以及第一行驱动器，在第二方向上与第一页缓冲器和多个高速缓存锁存器相邻设置并电连接到第一存储单元阵列。

附图说明