[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202211222779.2 | 申请日： | 2022-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN115385294A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 余维嘉 | 申请（专利权）人： | 星中达半导体科技（山东）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 孙海杰 |
| 地址： | 255000 山东省淄博市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，涉及半导体制备的技术领域，具有目标尺寸的氧化硅沟槽很容易通过对硅基底的设计及精细的工艺控制实现。与现有技术相比，本申请中并未直接对氧化硅结构进行直接加工；而是，通过氧化硅沟槽的尺寸反推导硅沟槽的尺寸，实现硅沟槽尺寸的精准控制，然后对硅沟槽进行氧化处理从而得到氧化硅沟槽，在上述的制备条件下，可以得到具有高深宽比,微小沟槽间隙和良好陡直度侧壁的氧化硅沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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