[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S10.提供一硅基底(100)和一衬底，将硅基底(100)的底面与衬底进行连接；

S20.按照公式(1)、(2)、(3)和(4)，根据待制备的氧化硅沟槽(110)的目标尺寸以及氧化形变率α得到待刻蚀的硅沟槽(130)的初始尺寸；

其中，所述目标尺寸包括氧化硅沟槽(110)的底面与衬底的上表面之间的距离D，氧化硅沟槽(110)的宽度S和深度H，用于分离相邻两个氧化硅沟槽(110)的氧化硅柱体(120)的宽度L；所述S小于2微米，氧化硅柱体(120)的宽深比(L/H)大于5；

其中，所述初始尺寸包括硅沟槽(130)底面与硅基底(100)的下表面之间的距离d，硅沟槽(130)的宽度s，硅柱体(140)的宽度l和高度h；

l＝L/α (1)

s＝(1-1/α)*L+S (2)

d＝D/α (3)

h＝H-(1-1/α)*L/2+D (4)

S30.对硅基底(100)的上表面进行刻蚀，从而在硅基底(100)的上表面形成具有初始尺寸的多个硅沟槽(130)；

S40.在环境为温度为900℃-1100℃的条件下，对硅沟槽(130)进行氧化处理1-15小时，从而获得具有目标尺寸的氧化硅沟槽(110)。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括在步骤S30之前进行的，根据硅基底(100)的厚度H₀和氧化硅沟槽(110)的深度H，对硅基底(100)的上表面进行研磨减薄处理，以使氧化硅沟槽(110)的底面与衬底的上表面之间的距离D的取值范围为0-1微米。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述研磨减薄处理具体包括：

机械研磨。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述研磨减薄处理具体包括：

化学机械抛光。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述衬底为石英衬底(200)。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S10中，硅基底(100)的底面与石英衬底(200)通过键合的方式连接。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括在所述将硅基底(100)的底面与衬底进行连接的步骤之前进行的步骤：

步骤S111.利用等离子激活和/或表面化学机械平整工艺分别对硅基底(100)的底面和石英衬底(200)进行处理。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，经过所述步骤S111后，硅基底(100)的底面和石英衬底(200)结合后二者之间的间距范围在1埃-9埃。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S30具体包括：

步骤S31.通过光刻工艺在硅基底(100)的上表面形成掩模图案；

步骤S32.通过掩模图案，对硅基底(100)施以等离子干法蚀刻，形成硅沟槽(130)。

10.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构由权利要求1-9任意一项所述的半导体结构的制备方法制备而成。