[发明专利]发光二极管及发光装置在审
| 申请号： | 202211186456.2 | 申请日： | 2022-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN115425125A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 李家安;毛洪涛;李政鸿;林兓兓 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及发光二极管及发光装置，包括：衬底，以及依次位于所述衬底上的第一半导体层、发光层、最后势垒层、电子阻挡层和第二半导体层；所述发光层包括n个周期的量子阱结构，所述量子阱结构包括一层量子垒层和一层量子阱层；所述最后势垒层厚度为发光层厚度的0.2倍~0.7倍。本发明可以有效提高电子和空穴在发光层里的分布均匀性，减少无效辐射复合的概率，提高整体的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 发光 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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