[发明专利]发光二极管及发光装置在审
| 申请号： | 202211186456.2 | 申请日： | 2022-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN115425125A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 李家安;毛洪涛;李政鸿;林兓兓 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 发光 装置 | ||
1.发光二极管，其特征在于，包括：衬底，以及依次位于所述衬底上的第一半导体层、发光层、最后势垒层、电子阻挡层和第二半导体层；
所述发光层包括n个周期的量子阱结构，所述量子阱结构包括一层量子阱层和一层量子垒层；
所述最后势垒层厚度为发光层厚度的0.2倍~0.7倍。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述最后势垒层的厚度范围为17nm~65nm。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光层的厚度范围为50nm~210nm。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，单个量子阱结构的厚度为10nm~17nm。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述最后势垒层厚度不小于单个量子阱结构厚度。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述最后势垒层厚度为单个量子阱结构厚度的2倍及以上。
7.根据权利要1所述的发光二极管，其特征在于，所述量子垒层包括Alx1Iny1Ga1-x1-y1N层，量子阱层的材料包括Alx2Iny2Ga1-x2-y2N，其中0≤x2＜x1≤1，0≤y1＜y2≤1。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述量子阱层为InGaN层，所述量子垒层为GaN层或AlGaN层。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光层的周期数n为5～12。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述最后势垒层的禁带宽度大于发光层的禁带宽度。
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述最后势垒层为P型掺杂或者不掺杂。
12.根据权利要求1或11所述的发光二极管，其特征在于，所述最后势垒层的P型掺杂浓度低于5E19 atoms/cm3。
13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述最后势垒层为超晶格结构。
14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述最后势垒层包括含In的材料层，且最后势垒层的In含量不高于10%。
15.根据权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，所述超晶格结构为AlGaN/InAlGaN超晶格、GaN/AlGaN超晶格、GaN/ InAlGaN超晶格、InGaN/AlGaN超晶格、InGaN/InAlGaN超晶格中的至少一种。
16.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括应力释放层，所述应力释放层位于第一半导体层和发光层之间。
17.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一半导体层电性连接，所述第二电极与所述第二半导体层电性连接。
18.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，适用于不大于20mA/cm2的应用电流密度。
19.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管辐射绿光或者蓝光。
20.发光装置，其特征在于：包含权利要求1~19中任一项所述的发光二极管。
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