[发明专利]封装结构及封装结构的形成方法在审
| 申请号： | 202211153281.5 | 申请日： | 2022-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN115425002A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 刘在福;曾昭孔;郭瑞亮;焦洁 | 申请（专利权）人： | 苏州通富超威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60;H01L23/64;H01L25/18;H01L25/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐嘉 |
| 地址： | 215021 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种封装结构及其形成方法，结构包括：第一晶片，具有相对的第一面和第二面；固定于第一晶片侧壁表面的钝化层，具有相对的第三面和第四面；位于钝化层内的若干第一连接层，第一连接层自第三面向第四面贯穿钝化层；位于第一晶片内的若干第二连接层，第二连接层自第一面向第二面贯穿钝化层；位于钝化层第三面的第一器件结构，所述第一器件结构与第一连接层电连接；位于第一晶片第一面的第二器件结构，第二器件结构与第二连接层电连接；位于钝化层第四面上的第一电连接结构，第一电连接结构与第一连接层电连接；位于第一晶片第二面上的第二电连接结构，第二电连接结构与第二连接层电连接。所述封装结构的封装灵活性较高，节省面积。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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