[发明专利]封装结构及封装结构的形成方法在审
| 申请号： | 202211153281.5 | 申请日： | 2022-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN115425002A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 刘在福;曾昭孔;郭瑞亮;焦洁 | 申请（专利权）人： | 苏州通富超威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60;H01L23/64;H01L25/18;H01L25/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐嘉 |
| 地址： | 215021 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 结构 形成 方法 | ||
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
第一晶片，所述晶片具有相对的第一面和第二面；
固定于第一晶片侧壁表面的钝化层，所述钝化层具有相对的第三面和第四面；
位于钝化层内的若干第一连接层，所述第一连接层自第三面向第四面贯穿所述钝化层；
位于第一晶片内的若干第二连接层，所述第二连接层自第一面向第二面贯穿所述钝化层；
位于钝化层第三面的第一器件结构，所述第一器件结构与第一连接层电连接；
位于第一晶片第一面的第二器件结构，所述第二器件结构与第二连接层电连接；
位于钝化层第四面上的第一电连接结构，所述第一电连接结构与所述第一连接层电连接；
位于第一晶片第二面上的第二电连接结构，所述第二电连接结构与所述第二连接层电连接。
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二器件结构包括：电容、电阻或若干第二晶片堆叠的半封装结构。
3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一器件结构包括：电容或电阻。
4.如权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第一连接结构包括：第一再布线层以及位于第一再布线层上的第一焊接层；所述第二连接结构包括：第二再布线层以及位于第二再布线层上的第二焊接层。
5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述钝化层的材料包括有机材料，所述有机材料包括聚亚酰胺或聚对苯撑苯并二恶唑；所述第一连接层的材料包括金属，所述金属包括铜；所述第二连接层的材料包括金属，所述金属包括铜。
6.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基板；
提供第一晶片，所述第一晶片具有相对的第一面和第二面，所述第一晶片内还具有第一连接层，所述第一连接层自晶片第一面至第二面贯穿所述晶片；
将所述第一晶片固定于基板上，所述第一晶片的第二面固定于基板表面；
在第一晶片侧壁形成钝化层和位于钝化层内的若干第一连接层，所述钝化层还位于基板上，所述钝化层具有相对的第三面和第四面，所述钝化层的第四面固定于基板上，所述第一连接层自第三面至第四面贯穿所述钝化层；
形成所述第一连接层之后，去除所述基板；
在钝化层第四面上形成第一电连接结构，所述第一电连接结构与所述第一连接层电连接；
在第一晶片第二面上形成第二电连接结构，所述第二电连接结构与第二连接层电连接；
在钝化层第三面上形成第一器件结构，所述第一器件结构与第一连接层电连接；
在第一晶片第一面上形成第二器件结构，所述第二器件结构与第二连接层电连接。
7.如权利要求6所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第二器件结构包括：电容、电阻或若干第二晶片堆叠的半封装结构。
8.如权利要求6所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一器件结构包括：电容或电阻。
9.如权利要求6所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一电连接结构包括：第一再布线层以及位于第一再布线层上的第一焊接层；所述第二连接结构包括：第二再布线层以及位于第二再布线层上的第二焊接层。
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