[发明专利]封装结构及封装结构的形成方法

说明书

一种封装结构及其形成方法，结构包括：第一晶片，具有相对的第一面和第二面；固定于第一晶片侧壁表面的钝化层，具有相对的第三面和第四面；位于钝化层内的若干第一连接层，第一连接层自第三面向第四面贯穿钝化层；位于第一晶片内的若干第二连接层，第二连接层自第一面向第二面贯穿钝化层；位于钝化层第三面的第一器件结构，所述第一器件结构与第一连接层电连接；位于第一晶片第一面的第二器件结构，第二器件结构与第二连接层电连接；位于钝化层第四面上的第一电连接结构，第一电连接结构与第一连接层电连接；位于第一晶片第二面上的第二电连接结构，第二电连接结构与第二连接层电连接。所述封装结构的封装灵活性较高，节省面积。

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，尤其涉及一种封装结构及封装结构的形成方法。

背景技术

在半导体制程中，封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程，是制造芯片的最后一环。

封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片(Die)，然后将切割好的晶片固定在引线框架上，再利用超细的金属(金锡铜铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘外接出去；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护。

然而，现有的封装方法工艺较为复杂，良率也有待提升，需要提升封装工艺以改善良率和简化流程。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种封装结构及封装结构的形成方法以提升封装工艺以改善良率和简化流程。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种封装结构，包括：第一晶片，所述晶片具有相对的第一面和第二面；固定于第一晶片侧壁表面的钝化层，所述钝化层具有相对的第三面和第四面；位于钝化层内的若干第一连接层，所述第一连接层自第三面向第四面贯穿所述钝化层；位于第一晶片内的若干第二连接层，所述第二连接层自第一面向第二面贯穿所述钝化层；位于钝化层第三面的第一器件结构，所述第一器件结构与第一连接层电连接；位于第一晶片第一面的第二器件结构，所述第二器件结构与第二连接层电连接；位于钝化层第四面上的第一电连接结构，所述第一电连接结构与所述第一连接层电连接；位于第一晶片第二面上的第二电连接结构，所述第二电连接结构与所述第二连接层电连接。

可选的，所述第二器件结构包括：电容、电阻或若干第二晶片堆叠的半封装结构。

可选的，所述第一器件结构包括：电容或电阻。

可选的，所述第一连接结构包括：第一再布线层以及位于第一再布线层上的第一焊接层；所述第二连接结构包括：第二再布线层以及位于第二再布线层上的第二焊接层。

可选的，所述钝化层的材料包括有机材料，所述有机材料包括聚亚酰胺或聚对苯撑苯并二恶唑；所述第一连接层的材料包括金属，所述金属包括铜；所述第二连接层的材料包括金属，所述金属包括铜。

相应地，本发明技术方案还提供一种封装结构的形成方法，包括：提供基板；提供第一晶片，所述第一晶片具有相对的第一面和第二面，所述第一晶片内还具有第一连接层，所述第一连接层自晶片第一面至第二面贯穿所述晶片；将所述第一晶片固定于基板上，所述第一晶片的第二面固定于基板表面；在第一晶片侧壁形成钝化层和位于钝化层内的若干第一连接层，所述钝化层还位于基板上，所述钝化层具有相对的第三面和第四面，所述钝化层的第四面固定于基板上，所述第一连接层自第三面至第四面贯穿所述钝化层；形成所述第一连接层之后，去除所述基板；在钝化层第四面上形成第一电连接结构，所述第一电连接结构与所述第一连接层电连接；在第一晶片第二面上形成第二电连接结构，所述第二电连接结构与第二连接层电连接；在钝化层第三面上形成第一器件结构，所述第一器件结构与第一连接层电连接；在第一晶片第一面上形成第二器件结构，所述第二器件结构与第二连接层电连接。

可选的，所述第二器件结构包括：电容、电阻或若干第二晶片堆叠的半封装结构。

可选的，所述第一器件结构包括：电容或电阻。