[发明专利]基于RRAM阵列的卷积计算瓦片架构及神经网络加速芯片在审

专利信息
申请号: 202211136432.6 申请日: 2022-09-19
公开(公告)号: CN115496193A 公开(公告)日: 2022-12-20
发明(设计)人: 陈长林;王伟;李清江;唐励勤;徐晖;刘森;刘海军;于红旗;王义楠;李智炜;宋兵;步凯;王琴;曹荣荣;王玺;李楠;刁节涛 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: G06N3/063 分类号: G06N3/063;G06F15/78;G06F15/80
代理公司: 北京超成律师事务所 11646 代理人: 孔默
地址: 410000 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明提供了一种基于RRAM阵列的卷积计算瓦片架构及神经网络加速芯片,主要由多个计算单元组成的处理阵列、列条件累加模块和行条件累加模块组成。其中计算单元用于实现待处理输入特征图像数据与权重矩阵的乘累加运算;列条件累加模块用于根据计算单元中的第一标记值,将同一列内的计算单元得到的计算结果进行累加;行条件累加模块用于将根据计算单元中的第二标记值,将同一行内的计算单元得到的计算结果的累加。该卷积计算瓦片支持多种卷积核权重映射方法和数据复用策略,可根据需要将多个计算单元组合实现不同规模卷积运算,提高了基于RRAM的卷积计算瓦片架构的处理效率和灵活性。
搜索关键词: 基于 rram 阵列 卷积 计算 瓦片 架构 神经网络 加速 芯片
【主权项】:
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