[发明专利]一种双芯并联大功率器件封装结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202211135091.0 申请日: 2022-09-19
公开(公告)号: CN115440683A 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: 张锴;张园园;曹琳;徐西昌 申请(专利权)人: 龙腾半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/492;H01L23/495;H01L25/07;H01L21/60
代理公司: 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 代理人: 李罡
地址: 710018 陕西省西安市未*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种双芯并联大功率器件封装结构及其制备方法,解决了现有封装结构安装面积大及散热性能不佳的问题。具体技术方案为:一种双芯并联功率器件封装结构,源极金属片一端通过结合层连接引线框架脚架焊接区,另一端两侧面分别通过结合层连接两个芯片的源极,栅极金属片一端通过结合层连接引线框架脚架焊接区,另一端两侧面分别通过结合层连接两个的栅极,一个芯片的漏极通过结合层连接漏极金属片,另一个芯片的漏极通过结合层连接引线框架基岛区,漏极金属片与引线框架基岛区通过框架结合层连接;上述所有结构周围由塑封料填充包裹。本发明采用双芯叠封结构,降低器件体积及安装面积,且采用双面散热结构,增加散热通道,提高散热性能。
搜索关键词: 一种 并联 大功率 器件 封装 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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