[发明专利]一种双芯并联大功率器件封装结构及其制备方法

说明书

本发明公开了一种双芯并联大功率器件封装结构及其制备方法，解决了现有封装结构安装面积大及散热性能不佳的问题。具体技术方案为：一种双芯并联功率器件封装结构，源极金属片一端通过结合层连接引线框架脚架焊接区，另一端两侧面分别通过结合层连接两个芯片的源极，栅极金属片一端通过结合层连接引线框架脚架焊接区，另一端两侧面分别通过结合层连接两个的栅极，一个芯片的漏极通过结合层连接漏极金属片，另一个芯片的漏极通过结合层连接引线框架基岛区，漏极金属片与引线框架基岛区通过框架结合层连接；上述所有结构周围由塑封料填充包裹。本发明采用双芯叠封结构，降低器件体积及安装面积，且采用双面散热结构，增加散热通道，提高散热性能。

技术领域

本发明属于电力电子器件技术领域，涉及一种双芯并联大功率器件封装结构及其制备方法。

背景技术

封装的作用在于为芯片提供电学连接、机械承载，使其便于操作使用，为大规模集成电路的使用者提供一个规范的安装结构与尺寸，避免芯片受外力作用、划伤、受水蒸气或者其他有害气体的侵蚀，有时候还可以在同一个封装结构内封装多个芯片，从而使集成电路芯片能够发挥正常的功能，并保证其具有高稳定性和可靠性。

随着消费类电子、通信等行业的不断发展，整机也向着多功能、大功率、小型化方向变化。这样就要求集成电路的集成度和电流能力越来越高，相应地要求封装密度越来越大，引线数量越来越多，而体积越来越小，重量越来越轻，封装结构的科学性、合理性将直接影响集成电路的质量。

现有的双芯并联大功率器件封装结构以平面结构为主，安装所需面积较大。功率器件在工作时，会产生热量；大功率的半导体器件由于功率更大，发热量也更大。对于功率器件而言，若无法及时高效地把产生的热量传递到外部环境，将极大影响半导体器件的工作性能，甚至导致失效。

发明内容

本发明的目的是提供一种双芯并联功率器件封装结构及其制备方法，解决了现有的双芯并联大功率器件封装结构存在的双芯封装器件安装所需面积变大及散热性能不佳的问题。

本发明的具体技术方案如下：

一种双芯并联功率器件封装结构，包括第一芯片、第二芯片、引线框架、源极金属片、栅极金属片、漏极金属片，引线框架包括引线框架基岛区和引线框架脚架焊接区，源极金属片一端通过源极框架结合层连接引线框架脚架焊接区，另一端两侧面分别通过结合层连接第一芯片与第二芯片的源极，栅极金属片一端通过栅极框架结合层连接引线框架脚架焊接区，另一端两侧面分别通过结合层连接第一芯片与第二芯片的栅极，第一芯片的漏极通过第一漏极结合层连接漏极金属片，第二芯片的漏极通过第二漏极结合层连接引线框架基岛区，漏极金属片与引线框架基岛区通过漏极框架结合层连接；上述所有结构周围由塑封料填充包裹。

第一芯片包括第一芯片源极、第一芯片栅极、第一芯片漏极，第一芯片源极通过第一源极结合层连接源极金属片，第一芯片栅极通过第一栅极结合层连接栅极金属片，第一芯片漏极通过第一漏极结合层连接漏极金属片；

第二芯片包括第二芯片源极、第二芯片栅极、第二芯片漏极，第二芯片源极通过第二源极结合层连接源极金属片，第二芯片栅极通过第二栅极结合层连接栅极金属片，第二芯片漏极通过第二漏极结合层连接引线框架基岛区。

一种双芯并联功率器件封装结构的制备方法，通过焊接、烧结或粘合的方式，将第二芯片的漏极与引线框架基岛区结合，第二芯片源极与源极金属片结合，第二芯片栅极与栅极金属片结合，源极金属片与引线框架脚架焊接区结合，栅极金属片与引线框架脚架焊接区结合，第一芯片的源极与源极金属片结合，第一芯片的栅极与栅极金属片结合，第一芯片的漏极与漏极金属片结合，漏极金属片与引线框架基岛区结合，上述所有结合过程均使用结合层结构，最后使用塑封料填充包裹上述部件，且使漏极金属片、引线框架基岛区、引线框架脚架焊接区裸露在表面。

本发明公开的双芯并联功率器件封装结构及其制备方法，采用双芯叠封结构，降低器件体积及安装所需面积，并且采用双面散热结构，增加了散热通道，有利于器件的散热，提高散热性能。

附图说明