[发明专利]一种双芯并联大功率器件封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种双芯并联功率器件封装结构，其特征在于：

包括第一芯片（41）、第二芯片（42）、引线框架、源极金属片（23）、栅极金属片（24）、漏极金属片（21），引线框架包括引线框架基岛区（22）和引线框架脚架焊接区（25），源极金属片（23）一端通过源极框架结合层（39）连接引线框架脚架焊接区（25），另一端两侧面分别通过结合层连接第一芯片（41）与第二芯片（42）的源极，栅极金属片（24）一端通过栅极框架结合层（38）连接引线框架脚架焊接区（25），另一端两侧面分别通过结合层连接第一芯片（41）与第二芯片（42）的栅极，第一芯片（41）的漏极通过第一漏极结合层（31）连接漏极金属片（21），第二芯片（42）的漏极通过第二漏极结合层（37）连接引线框架基岛区（22），漏极金属片（21）与引线框架基岛区（22）通过漏极框架结合层（34）连接；上述所有结构周围由塑封料填充包裹。

2.根据权利要求1所述的一种双芯并联功率器件封装结构，其特征在于：

第一芯片（41）包括第一芯片源极、第一芯片栅极、第一芯片漏极，第一芯片源极通过第一源极结合层（33）连接源极金属片（23），第一芯片栅极通过第一栅极结合层（32）连接栅极金属片（24），第一芯片漏极通过第一漏极结合层（31）连接漏极金属片（21）；

第二芯片（42）包括第二芯片源极（421）、第二芯片栅极（422）、第二芯片漏极，第二芯片源极（421）通过第二源极结合层（35）连接源极金属片（23），第二芯片栅极（422）通过第二栅极结合层（36）连接栅极金属片（24），第二芯片漏极通过第二漏极结合层（37）连接引线框架基岛区（22）。

3.一种双芯并联功率器件封装结构的制备方法，其特征在于：

通过焊接、烧结或粘合的方式，将第二芯片（42）的漏极与引线框架基岛区（22）结合，第二芯片源极（421）与源极金属片（23）结合，第二芯片栅极（422）与栅极金属片（24）结合，源极金属片（23）与引线框架脚架焊接区（25）结合，栅极金属片（24）与引线框架脚架焊接区（25）结合，第一芯片（41）的源极与源极金属片（23）结合，第一芯片（41）的栅极与栅极金属片（24）结合，第一芯片（41）的漏极与漏极金属片（21）结合，漏极金属片（21）与引线框架基岛区（22）结合，上述所有结合过程均使用结合层结构，最后使用塑封料填充包裹上述部件，且使漏极金属片（21）、引线框架基岛区（22）、引线框架脚架焊接区（25）裸露在表面。