[发明专利]一种硅片氧化设备及氧化工艺在审
| 申请号: | 202211135010.7 | 申请日: | 2022-09-19 |
| 公开(公告)号: | CN115663062A | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
| 发明(设计)人: | 顾少俊;耿伟;周航;余珺 | 申请(专利权)人: | 鑫德斯特电子设备(安徽)有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司: | 南通亿旸知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32578 | 代理人: | 杨利娟 |
| 地址: | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种硅片氧化设备,包括壳体,所述壳体的壳壁内部设有多个电加热管,所述壳体上开设有进料口,所述进料口处设有密封门,所述壳体内侧壁上设有一组对应的磁吸板,两个所述磁吸板之间设有第一安装板,所述第一安装板上设有多个第一弧形卡槽,每个所述弧形卡槽两侧的第一安装板边缘均设有连接块,每个所述弧形卡槽下方的第一安装板板面上设有凹槽,每组所述连接块之间均转动连接有夹持组件,本发明结构简单,设计新颖,通过第一弧形卡槽和第二弧形卡槽,将硅片竖立夹持,从而可对硅片的双面同时进行氧化处理,使双面都氧化的更加均匀,再通过夹持组件将硅片进一步紧固配合,能够防止氧化过程中硅片掉落。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 硅片 氧化 设备 工艺 | ||
【主权项】:
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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