[发明专利]一种硅片氧化设备及氧化工艺在审

专利信息
申请号: 202211135010.7 申请日: 2022-09-19
公开(公告)号: CN115663062A 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 顾少俊;耿伟;周航;余珺 申请(专利权)人: 鑫德斯特电子设备(安徽)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/02
代理公司: 南通亿旸知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32578 代理人: 杨利娟
地址: 243000 安徽省马鞍山*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种硅片氧化设备,包括壳体,所述壳体的壳壁内部设有多个电加热管,所述壳体上开设有进料口,所述进料口处设有密封门,所述壳体内侧壁上设有一组对应的磁吸板,两个所述磁吸板之间设有第一安装板,所述第一安装板上设有多个第一弧形卡槽,每个所述弧形卡槽两侧的第一安装板边缘均设有连接块,每个所述弧形卡槽下方的第一安装板板面上设有凹槽,每组所述连接块之间均转动连接有夹持组件,本发明结构简单,设计新颖,通过第一弧形卡槽和第二弧形卡槽,将硅片竖立夹持,从而可对硅片的双面同时进行氧化处理,使双面都氧化的更加均匀,再通过夹持组件将硅片进一步紧固配合,能够防止氧化过程中硅片掉落。
搜索关键词: 一种 硅片 氧化 设备 工艺
【主权项】:
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