[发明专利]一种硅片氧化设备及氧化工艺

权利要求书

1.一种硅片氧化设备，包括壳体1，所述壳体1的壳壁内部设有多个电加热管11，所述壳体1上开设有进料口，所述进料口处设有密封门12，其特征在于：所述壳体1内侧壁上设有一组对应的磁吸板13，两个所述磁吸板13之间设有第一安装板2，所述第一安装板2上设有多个第一弧形卡槽21，每个所述弧形卡槽21两侧的第一安装板边缘均设有连接块22，每个所述弧形卡槽21下方的第一安装板2板面上设有凹槽23，每组所述连接块22之间均转动连接有夹持组件3。

2.根据权利要求1所述的一种硅片氧化设备，其特征在于：所述夹持组件3包括弧形夹臂31，所述弧形夹臂31的下方延伸有弯折段32，所述弯折段32的中间设有连接孔33，所述连接孔33与连接块22之间转动连接，所述弯折段32的底部转动连接着连杆34，所述连杆34转动连接至推板35上，所述推板35上端设有凸起36，所述凸起36与凹槽23相对应，所述推板35的下端连接着气缸37，所述气缸37固定于壳体1底部。

3.根据权利要求1所述的一种硅片氧化设备，其特征在于：位于第一安装板2上方的壳体1上设有第二安装板4，所述第二安装板4上设有多个第二弧形卡槽41，所述第二弧形卡槽41与第一弧形卡槽21一一对应。

4.根据权利要求1所述的一种硅片氧化设备，其特征在于：所述壳1体内侧壁上还设有氧气进气管14和氮气进气管15。

5.根据权利要求1所述的一种硅片氧化工艺，其特征在于：利用所述硅片氧化设备进行氧化工艺，包括以下步骤：

S1:将硅片竖着放置于第一弧形卡槽内，然后启动气缸推动夹持组件夹紧硅片两侧，此时凸起进入凹槽，随着气缸的继续上升，就会顶起整个第一安装板上移，直至硅片顶部进入第二安装板上的第二弧形卡槽，此时硅片呈竖立状固定于氧化设备内；

S2:关上氧化设备的密封门，进行预热处理，通过启动电加热管对内部的硅片进行加热，并使设备内的温度始终保持在300-350℃之间；

S3:进行氧化反应，将氧气进气管接通氧气后，将氧气的进入量控制在0.8-1L/min，供氧时长设置为10-15min；

S4:氧化反应结束后，对硅片进行降温处理，即是将氮气进气管接通氮气后，向硅片表面通入氮气降温，时长控制在5-6min内；

S5:降温结束后，即可从氧化设备内取出硅片。