[发明专利]一种硅片氧化设备及氧化工艺

说明书

本发明公开了一种硅片氧化设备，包括壳体，所述壳体的壳壁内部设有多个电加热管，所述壳体上开设有进料口，所述进料口处设有密封门，所述壳体内侧壁上设有一组对应的磁吸板，两个所述磁吸板之间设有第一安装板，所述第一安装板上设有多个第一弧形卡槽，每个所述弧形卡槽两侧的第一安装板边缘均设有连接块，每个所述弧形卡槽下方的第一安装板板面上设有凹槽，每组所述连接块之间均转动连接有夹持组件，本发明结构简单，设计新颖，通过第一弧形卡槽和第二弧形卡槽，将硅片竖立夹持，从而可对硅片的双面同时进行氧化处理，使双面都氧化的更加均匀，再通过夹持组件将硅片进一步紧固配合，能够防止氧化过程中硅片掉落。

技术领域

本发明涉及硅片加工技术领域，具体为一种硅片氧化设备及氧化工艺。

背景技术

单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿，其主要用途是制作成单晶硅片用作半导体材料，在硅片的加工过程中，需要对其表面进行氧化，现有的氧化设备都是将硅片平铺进行氧化槽内，虽然也能对其进行表面氧化，但是氧化不均匀，因此有必要进行改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅片氧化设备及氧化工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种硅片氧化设备，包括壳体，所述壳体的壳壁内部设有多个电加热管，所述壳体上开设有进料口，所述进料口处设有密封门，所述壳体内侧壁上设有一组对应的磁吸板，两个所述磁吸板之间设有第一安装板，所述第一安装板上设有多个第一弧形卡槽，每个所述弧形卡槽两侧的第一安装板边缘均设有连接块，每个所述弧形卡槽下方的第一安装板板面上设有凹槽，每组所述连接块之间均转动连接有夹持组件。

优选的，所述夹持组件包括弧形夹臂，所述弧形夹臂的下方延伸有弯折段，所述弯折段的中间设有连接孔，所述连接孔与连接块之间转动连接，所述弯折段的底部转动连接着连杆，所述连杆转动连接至推板上，所述推板上端设有凸起，所述凸起与凹槽相对应，所述推板的下端连接着气缸，所述气缸固定于壳体底部。

优选的，位于第一安装板上方的壳体上设有第二安装板，所述第二安装板上设有多个第二弧形卡槽，所述第二弧形卡槽与第一弧形卡槽一一对应。

优选的，所述壳体内侧壁上还设有氧气进气管和氮气进气管。

优选的，利用所述硅片氧化设备进行氧化工艺，包括以下步骤：

S1:将硅片竖着放置于第一弧形卡槽内，然后启动气缸推动夹持组件夹紧硅片两侧，此时凸起进入凹槽，随着气缸的继续上升，就会顶起整个第一安装板上移，直至硅片顶部进入第二安装板上的第二弧形卡槽，此时硅片呈竖立状固定于氧化设备内；

S2:关上氧化设备的密封门，进行预热处理，通过启动电加热管对内部的硅片进行加热，并使设备内的温度始终保持在300-350℃之间；

S3:进行氧化反应，将氧气进气管接通氧气后，将氧气的进入量控制在0.8-1L/min，供氧时长设置为10-15min；

S4:氧化反应结束后，对硅片进行降温处理，即是将氮气进气管接通氮气后，向硅片表面通入氮气降温，时长控制在5-6min内；

S5:降温结束后，即可从氧化设备内取出硅片。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明结构简单，设计新颖，通过第一弧形卡槽和第二弧形卡槽，将硅片竖立夹持，从而可对硅片的双面同时进行氧化处理，使双面都氧化的更加均匀，再通过夹持组件将硅片进一步紧固配合，能够防止氧化过程中硅片掉落。

附图说明

图1为本发明整体结构示意图；

图2为本发明整体结构正面剖视示意图；

图3为本发明整体结构侧面剖视示意图；

图4为本发明第一安装板的正面结构示意图；

图5为本发明第一安装板的背面结构示意图；