[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法和存储介质在审
| 申请号： | 202211133158.7 | 申请日： | 2022-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN115881598A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 齐藤择弥;高桥哲;广谷博史;冈崎太洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/67;B08B5/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金成哲;郑毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法和存储介质，在使用多种不同的气体在输送室内形成气流时容易将输送室内控制为所需的气氛。基板处理装置具备：输送室，其包含对从基板收纳容器搬出的基板进行输送的输送空间；第一吹扫气体供给系统；第二吹扫气体供给系统；排气系统，其排出输送室内的环境气体；循环路径，其连接输送空间的一端与另一端；风扇，其设置在循环路径上或其端部，并使输送室内的环境气体循环；以及控制部，其能够控制风扇，使得风扇的旋转速度根据处于从第一吹扫气体供给系统供给第一吹扫气体的第一吹扫模式、和从第二吹扫气体供给系统供给第二吹扫气体的第二吹扫模式中的哪一个的状态而不同。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体 制造 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社国际电气，未经株式会社国际电气许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211133158.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电缆电阻率检测工装
- 下一篇：一种用于海上导管架基础桩内清淤的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
