[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法和存储介质

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

输送室，其包含对从基板收纳容器搬出的基板进行输送的输送空间；

第一吹扫气体供给系统，其向所述输送室内供给第一吹扫气体；

第二吹扫气体供给系统，其向所述输送室内供给与所述第一吹扫气体不同的第二吹扫气体；

排气系统，其排出所述输送室内的环境气体；

循环路径，其连接所述输送空间的一端与另一端；

风扇，其设置在所述循环路径上或其端部，并使所述输送室内的环境气体循环；以及

控制部，其能够控制所述风扇，使得所述风扇的旋转速度根据处于从所述第一吹扫气体供给系统供给所述第一吹扫气体的第一吹扫模式、和从所述第二吹扫气体供给系统供给所述第二吹扫气体的第二吹扫模式中的哪一个的状态而不同。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一吹扫气体是空气，所述第二吹扫气体是水分浓度比所述空气低的干燥空气，

所述控制部能够以使所述第二吹扫模式下的所述风扇的旋转速度比所述第一吹扫模式下的所述风扇的旋转速度大的方式控制所述风扇。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一吹扫气体是空气，所述第二吹扫气体是惰性气体，

所述控制部能够以使所述第二吹扫模式下的所述风扇的旋转速度比所述第一吹扫模式下的所述风扇的旋转速度大的方式控制所述风扇。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一吹扫气体是水分浓度比空气低的干燥空气，所述第二吹扫气体是惰性气体，

所述控制部能够控制所述第一吹扫气体供给系统、所述第二吹扫气体供给系统和所述风扇，使得在以所述第一吹扫模式进行了所述第一吹扫气体的供给之后，以所述第二吹扫模式进行第二吹扫气体的供给。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部能够以使所述第一吹扫模式下的所述风扇的旋转速度比所述第二吹扫模式下的所述风扇的旋转速度大的方式控制所述风扇。

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第二吹扫气体是惰性气体，

在所述输送室内和构成所述排气系统的排气路径上的至少一方设置有氧浓度传感器，

在所述第二吹扫模式中，所述控制部能够基于由所述氧浓度传感器检出的值来控制从所述第二吹扫气体供给系统向所述输送室内供给的所述惰性气体的流量。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述第二吹扫模式中，所述控制部能够以由所述氧浓度传感器检出的值成为预定值的方式控制从所述第二吹扫气体供给系统供给的所述惰性气体的流量。

8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述第二吹扫模式中，所述控制部能够根据所述惰性气体的流量来控制所述风扇的旋转速度。

9.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述第二吹扫模式中，所述控制部能够基于由所述氧浓度传感器检出的值来控制所述风扇的旋转速度。

10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一吹扫气体是空气，所述第二吹扫气体是水分浓度比所述空气低的干燥气体，

在所述输送室内和构成所述排气系统的排气路径上的至少一方设置有水分浓度传感器，

在所述第二吹扫模式中，所述控制部能够基于由所述水分浓度传感器检出的值来控制从所述第二吹扫气体供给系统向所述输送室内供给的所述干燥气体的流量。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述第二吹扫模式中，所述控制部能够以由所述水分浓度传感器检出的值成为预定值的方式控制从所述第二吹扫气体供给系统供给的所述干燥气体的流量。