[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法和存储介质在审
| 申请号: | 202211133158.7 | 申请日: | 2022-09-16 |
| 公开(公告)号: | CN115881598A | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
| 发明(设计)人: | 齐藤择弥;高桥哲;广谷博史;冈崎太洋 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67;B08B5/02 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金成哲;郑毅 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 半导体 制造 方法 存储 介质 | ||
本公开提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法和存储介质,在使用多种不同的气体在输送室内形成气流时容易将输送室内控制为所需的气氛。基板处理装置具备:输送室,其包含对从基板收纳容器搬出的基板进行输送的输送空间;第一吹扫气体供给系统;第二吹扫气体供给系统;排气系统,其排出输送室内的环境气体;循环路径,其连接输送空间的一端与另一端;风扇,其设置在循环路径上或其端部,并使输送室内的环境气体循环;以及控制部,其能够控制风扇,使得风扇的旋转速度根据处于从第一吹扫气体供给系统供给第一吹扫气体的第一吹扫模式、和从第二吹扫气体供给系统供给第二吹扫气体的第二吹扫模式中的哪一个的状态而不同。
技术领域
本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法和存储介质。
背景技术
对于在半导体装置(器件)的制造工序中使用的基板处理装置而言,例如可以具备:将从收纳基板的晶圆盒搬出基板或者将基板搬入晶圆盒的加载口单元;以及在加载口单元与加载锁定室或基板处理室之间输送基板的输送室。另外,有时为了在输送室内形成清洁气体或惰性气体的气流而设置在输送室内使清洁气体或惰性气体循环的系统。(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2017/022366号
发明内容
发明所要解决的课题
当在输送室内使气体循环时,根据状况而有时需要将输送室内调整为所需的气氛。本公开的课题是提供如下技术:当使用多种不同的气体在输送室内形成气流时,容易将输送室内控制为所需的气氛。
用于解决课题的方案
根据本公开一方案,提供如下技术,其具备:
输送室,其包含对从基板收纳容器搬出的基板进行输送的输送空间;
第一吹扫气体供给系统,其向所述输送室内供给第一吹扫气体;
第二吹扫气体供给系统,其向所述输送室内供给与所述第一吹扫气体不同的第二吹扫气体;
排气系统,其排出所述输送室内的环境气体;
循环路径,其连接所述输送空间的一端与另一端;
风扇,其设置在所述循环路径上或其端部,并使所述输送室内的环境气体循环;以及
控制部,其能够控制所述风扇,使得所述风扇的旋转速度根据处于从所述第一吹扫气体供给系统供给所述第一吹扫气体的第一吹扫模式、和从所述第二吹扫气体供给系统供给所述第二吹扫气体的第二吹扫模式中的哪一个的状态而不同。
发明的效果
根据本公开的技术,当使用多种不同的气体在输送室内形成气流时,能够容易地将输送室内控制为所需的气氛。
附图说明
图1是本公开一实施方式的基板处理装置的概要结构图。
图2是本公开一实施方式的基板处理装置的概要纵剖视图。
图3是表示本公开一实施方式的基板处理装置的第一输送室及其周边机构的结构的概要立体图。
图4是表示本公开一实施方式的基板处理装置的控制部的结构的图。
图5是表示在本公开一实施方式的基板处理装置中关于维护门的开闭的状态变化的流程图。
图中:
10—基板处理装置;12—第一输送室;100—基板;121—控制器;168—循环管道。
具体实施方式
<本公开一实施方式>
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





