[发明专利]基板处理方法、基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质在审
| 申请号： | 202211132228.7 | 申请日： | 2022-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN115874161A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 刘涛;原田和宏;今村友纪;奥田和幸;野田孝晓 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | C23C16/36 | 分类号： | C23C16/36;C23C16/452;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及基板处理方法、基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质。本发明即使在低温下，也能够使膜中的氮浓度成为所希望的浓度。基板处理方法包括：(a)对基板供给含有预定元素的第一气体的工序；(b)对基板供给含有碳和氮的第二气体的工序；(c)对基板供给被等离子体活化后的含有氮的气体的工序；(d)对基板供给含有氧的气体的工序；以及(e)通过将进行(a)至(d)的循环进行2次以上的第一次数或者通过将依次进行(a)至(d)的循环进行1次以上，从而在基板上形成至少含有预定元素、氧、碳和氮的膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 半导体 制造 记录 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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