[发明专利]基板处理方法、基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质

权利要求书

1.一种基板处理方法，包括：

(a)对基板供给含有预定元素的第一气体的工序，

(b)对所述基板供给含有碳和氮的第二气体的工序，

(c)对所述基板供给被等离子体活化后的含有氮的气体的工序，

(d)对所述基板供给含有氧的气体的工序，和

(e)通过将进行(a)至(d)的循环进行2次以上的第一次数，或者，通过将依次进行(a)至(d)的循环进行1次以上，从而在所述基板上形成至少含有预定元素、氧、碳和氮的膜的工序。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

还包括：(f)不对所述基板供给被等离子体活化后的含有氮的气体，在所述基板上形成至少含有预定元素、碳和氮的膜的工序，

通过将进行(e)和(f)的循环进行1次以上的第二次数，从而在所述基板上形成至少含有预定元素、氧、碳和氮的膜。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，

所述第一次数与所述第二次数不同。

4.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，

通过调整所述第一次数和所述第二次数，从而变更所述至少含有预定元素、氧、碳和氮的膜中所含的碳与氮的比率。

5.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，

还包括：(g)不对所述基板供给被等离子体活化后的含有氮的气体，在所述基板上形成至少含有预定元素、碳、氧和氮的膜的工序，

通过将非同时进行(e)、(f)和(g)的循环进行1次以上的第三次数，从而在所述基板上形成至少含有预定元素、氧、碳和氮的膜。

6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，

所述第一次数与所述第三次数不同。

7.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，

通过调整所述第一次数和所述第三次数，从而变更所述至少含有预定元素、氧、碳和氮的膜中所含的碳与氮的比率。

8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在(e)中，在将进行(a)至(d)的循环进行至少2次时，以使得各循环中形成的含有预定元素、氧、碳和氮的膜中所含的碳浓度分别不同的方式来进行循环。

9.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

在(e)中，在将进行(a)至(d)的循环进行至少2次时，以使得各循环中形成的含有预定元素、氧、碳和氮的膜中所含的氮浓度分别不同的方式来进行循环。

10.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，

在(f)之后进行(e)。

11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，

在(e)中，将(a)至(d)进行至少2次以上。

12.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，

在(f)之后进行(g)。

13.根据权利要求12所述的基板处理方法，其中，

在(g)之后进行(f)。

14.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，

在(e)中，多次进行(a)至(d)，并在多次的(a)至(d)之间进行(f)。

15.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述第二气体还含有氢。

16.根据权利要求15所述的基板处理方法，其中，

所述第二气体包含胺系气体和有机肼系气体中的至少任一种。