[发明专利]基板处理方法、基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质

说明书

本发明涉及基板处理方法、基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质。本发明即使在低温下，也能够使膜中的氮浓度成为所希望的浓度。基板处理方法包括：(a)对基板供给含有预定元素的第一气体的工序；(b)对基板供给含有碳和氮的第二气体的工序；(c)对基板供给被等离子体活化后的含有氮的气体的工序；(d)对基板供给含有氧的气体的工序；以及(e)通过将进行(a)至(d)的循环进行2次以上的第一次数或者通过将依次进行(a)至(d)的循环进行1次以上，从而在基板上形成至少含有预定元素、氧、碳和氮的膜的工序。

技术领域

本公开涉及基板处理方法、基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质。

背景技术

有时反复进行供给含有硅等预定元素的气体、含碳和氮的气体、含氧气体的循环，进行在基板上形成含有预定元素、氧、碳和氮的膜的处理(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-140944号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，在比以往的成膜温度低的温度下形成该膜的情况下，有时膜中的氮浓度会降低。

本发明的目的在于提供一种即使在低温下也能够使膜中的氮浓度成为所期望的浓度的技术。

用于解决课题的方法

根据本公开的一个方式，提供一种技术，具有：

(a)对基板供给含有预定元素的第一气体的工序，

(b)对上述基板供给在1分子中至少含有碳和氮的第二气体的工序，

(c)对上述基板供给被等离子体活化后的含有氮的气体的工序，

(d)对上述基板供给含有氧的气体的工序，

(e)通过将进行(a)至(d)的循环进行2次以上的第一次数，或者，通过将依次进行(a)至(d)的循环进行1次以上，在上述基板上形成至少含有预定元素、氧、碳和氮的膜的工序。

发明效果

根据本公开，即使在低温下，也能够使膜中的氮浓度成为期望的浓度。

附图说明

图1是本公开的一个技术方案的基板处理装置的概略构成例，是以概略纵截面图表示处理炉部分的图。

图2是图1所示的处理炉的A-A线概略横截面图。

图3是用于说明本公开的一个技术方案的基板处理装置的控制部的构成的框图。

图4中，图4的(A)是在基板的表面形成第一层后的基板的截面图，图4的(B)是在基板的表面形成第二层后的基板的截面图，图4的(C)是在基板的表面形成了第三层之后的基板的截面图，图4的(D)是在基板的表面形成第四层后的基板的截面图。

图5是示出本公开的一个方式的成膜工序中的气体供给的时机的图。

图6是示出本公开的一个方式的成膜工序中的气体供给的时机的变形例的图。

图7是示出本公开的一个方式的成膜工序中的气体供给的时机的变形例的图。

图8是示出本公开的一个方式的成膜工序中的气体供给的时机的变形例的图。

图9中，图9的(A)是表示碳氮氧化硅层的第一层叠例的图，图9的(B)是表示碳氮氧化硅层的第二层叠例的图，图9的(C)是表示碳氮氧化硅层的第三层叠例的图，图9的(D)是表示碳氮氧化硅层的第四层叠例的图，图9的(E)是表示碳氮氧化硅层的第五层叠例的图。