[发明专利]深沟槽结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202211058543.X | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115377288A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 孙孝翔;遇寒;黄景丰;杨继业;冯钰彧 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 张亚静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种深沟槽结构的形成方法。所述方法包括：在所述晶圆的第一表面上形成沟槽内壁上沉积多层材料层，以通过所述多层材料层之间的相反应力抵消所述沟槽中填充的材料层对所述晶圆的应力作用。在本发明实施例中，利用低压化学气相沉积法(LPCVD)在热氧化层表面上沉积两层以上多晶硅作为多层材料层，且多层材料层中至少有一对材料层具有相反应力，多层材料层的应力相互作用以抵消所述沟槽中填充的不同材料层对所述晶圆的应力作用，使衬底曲率半径的绝对值大于100m，以防止晶圆过于翘曲而产生的晶圆破裂、对准性能不稳定、光刻精度变差以及吸不住晶圆、难以吸附固定等诸多问题的出现，从而调高产品产出率及良率。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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