[发明专利]深沟槽结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202211058543.X | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115377288A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 孙孝翔;遇寒;黄景丰;杨继业;冯钰彧 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 张亚静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深沟 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种深沟槽结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一晶圆，所述晶圆具有相对的第一表面和第二表面；
在所述晶圆的第一表面形成沟槽；
在所述沟槽的内壁上沉积多层材料层，以通过所述多层材料层之间的相反应力抵消所述沟槽中填充的材料层对所述晶圆的应力作用。
2.如权利要求1所述的深沟槽结构的形成方法，其特征在于，在所述沟槽的内壁上形成多层材料层的层数为至少两层。
3.如权利要求1所述的深沟槽结构的形成方法，其特征在于，在所述沟槽的内壁上形成的多层材料层为第一材料层、第二材料层和第三材料层的堆叠结构，且多层材料层中至少有一对材料层具有相反应力。
4.如权利要求1所述的深沟槽结构的形成方法，其特征在于，在所述沟槽的内壁上形成的多层材料层中的每层材料均为多晶硅。
5.如权利要求2或3所述的深沟槽结构的形成方法，其特征在于，在所述沟槽的内壁上形成的多层材料层之前，所述方法还包括在所述沟槽的内壁上形成第一氧化层。
6.如权利要求5所述的深沟槽结构的形成方法，其特征在于，在所述沟槽的内壁上形成的多层材料层中第一材料层、第二材料层、第三材料层，之前相继形成第二氧化层和第三氧化层。
7.如权利要求1所述的深沟槽结构的形成方法，其特征在于，所述晶圆的材料为硅。
8.如权利要求6所述的深沟槽结构的形成方法，其特征在于，在所述沟槽的内壁上形成的第一氧化层、第二氧化层、第三氧化层以及第四氧化层均具有正应力。
9.如权利要求1所述的深沟槽填充工艺及半导体器件结构，其特征在于，在对所述沟槽的内壁沉积的多层材料层的应力相互作用使衬底曲率半径的绝对值大于100m。
10.一种深沟槽结构，其特征在于，所述深沟槽结构采用如权利要求1～9中任一所述的深沟槽结构的形成方法制备而成。
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