[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202211009652.2 | 申请日： | 2022-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN115332181A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 曾以志 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 孟秀娟;臧建明 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决位线结构易产生缩颈的技术问题，该半导体结构的制备方法包括提供具有多个有源结构的基底，每个有源结构具有位线接触区；形成沿第一方向间隔排布的多个导电支撑条，每个导电支撑条沿第二方向延伸；每个导电支撑条连接多个位线接触区，且多个位线接触区沿第二方向排布；第一方向和第二方向相交；形成覆盖各个导电支撑条的侧面和顶面的初始隔离结构；去除位于导电支撑条的顶面上的初始隔离结构；去除至少部分厚度的导电支撑条，以形成第一填充区；其中，被保留下来的初始隔离结构形成隔离结构；在第一填充区内形成位线结构。本公开用于防止位线结构发生倾斜或者缩颈的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
