[发明专利]半导体结构及其制备方法

说明书

本公开提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决位线结构易产生缩颈的技术问题，该半导体结构的制备方法包括提供具有多个有源结构的基底，每个有源结构具有位线接触区；形成沿第一方向间隔排布的多个导电支撑条，每个导电支撑条沿第二方向延伸；每个导电支撑条连接多个位线接触区，且多个位线接触区沿第二方向排布；第一方向和第二方向相交；形成覆盖各个导电支撑条的侧面和顶面的初始隔离结构；去除位于导电支撑条的顶面上的初始隔离结构；去除至少部分厚度的导电支撑条，以形成第一填充区；其中，被保留下来的初始隔离结构形成隔离结构；在第一填充区内形成位线结构。本公开用于防止位线结构发生倾斜或者缩颈的缺陷。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic random access memory，简称DRAM)是一种高速地、随机地写入和读取数据的半导体存储器，被广泛地应用到数据存储设备或装置中。动态随机存储器一般由多个存储单元组成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。电容器存储数据信息，晶体管控制电容器中的数据信息的读写，其中，晶体管的栅极与动态随机存储器的字线(Word Line，简称WL)电连接，通过字线上的电压控制晶体管的开启和关闭；晶体管的源极和漏极中之一与位线(Bit Line，简称BL)电连接，源极和漏极中的另一个与电容器电连接，通过位线对数据信息进行存储或者输出。

但是，在制备位线时，位线易发生倾斜或者缩颈的缺陷。

发明内容

鉴于上述问题，本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法，用于解决位线易发生倾斜或者缩颈的缺陷。

本公开实施例的第一方面提供一种半导体结构的制备方法，其包括如下步骤：

提供具有多个有源结构的基底，每个所述有源结构具有位线接触区；

形成沿第一方向间隔排布的多个导电支撑条，每个所述导电支撑条沿第二方向延伸；每个所述导电支撑条连接多个所述位线接触区，且多个所述位线接触区沿所述第二方向排布；所述第一方向和所述第二方向相交；

形成覆盖各个所述导电支撑条的侧面和顶面的初始隔离结构；

去除位于所述导电支撑条的顶面上的所述初始隔离结构；

去除至少部分厚度的所述导电支撑条，以形成第一填充区；其中，被保留下来的所述初始隔离结构形成隔离结构；

在所述第一填充区内形成位线结构。

在一些实施例中，去除至少部分厚度的所述导电支撑条的步骤包括：

去除部分厚度所述导电支撑条，剩余的所述导电支撑条构成位线接触，所述位线接触位于所述位线接触区，且所述位线接触的顶面与所述基底的顶面平齐；其中，所述位线接触与所述隔离结构所围成的区域形成第一填充区。

在一些实施例中，在所述第一填充区内形成位线结构的步骤包括：

在所述第一填充区内形成位线，所述位线和所述位线接触构成位线结构。

在一些实施例中，提供具有多个有源结构的基底，每个所述有源结构内具有位线接触区的步骤之后，形成沿第一方向间隔排布的多个导电支撑条的步骤之前，所述制备方法还包括：

去除暴露在所述位线接触区内的部分有源结构，以形成暴露所述位线接触区的第二填充区，所述第二填充区还暴露剩余的所述有源结构的部分侧面。

在一些实施例中，所述导电支撑条的材质为掺杂多晶硅。

在一些实施例中，去除至少部分厚度的所述导电支撑条的步骤包括：

去除全部的所述导电支撑条，以形成第一填充区，所述第一填充区暴露出所述有源结构的所述位线接触区。