[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供具有多个有源结构的基底，每个所述有源结构具有位线接触区；

形成沿第一方向间隔排布的多个导电支撑条，每个所述导电支撑条沿第二方向延伸；每个所述导电支撑条连接多个所述位线接触区，且多个所述位线接触区沿所述第二方向排布；所述第一方向和所述第二方向相交；

形成覆盖各个所述导电支撑条的侧面和顶面的初始隔离结构；

去除位于所述导电支撑条的顶面上的所述初始隔离结构；

去除至少部分厚度的所述导电支撑条，以形成第一填充区；其中，被保留下来的所述初始隔离结构形成隔离结构；

在所述第一填充区内形成位线结构。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，去除至少部分厚度的所述导电支撑条的步骤包括：

去除部分厚度所述导电支撑条，剩余的所述导电支撑条构成位线接触，所述位线接触位于所述位线接触区，且所述位线接触的顶面与所述基底的顶面平齐；其中，所述位线接触与所述隔离结构所围成的区域形成第一填充区。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述第一填充区内形成位线结构的步骤包括：

在所述第一填充区内形成位线，所述位线和所述位线接触构成位线结构。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，提供具有多个有源结构的基底，每个所述有源结构内具有位线接触区的步骤之后，形成沿第一方向间隔排布的多个导电支撑条的步骤之前，所述制备方法还包括：

去除暴露在所述位线接触区内的部分有源结构，以形成暴露所述位线接触区的第二填充区，所述第二填充区还暴露剩余的所述有源结构的部分侧面。

5.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述导电支撑条的材质为掺杂多晶硅。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，去除至少部分厚度的所述导电支撑条的步骤包括：

去除全部的所述导电支撑条，以形成第一填充区，所述第一填充区暴露出所述有源结构的所述位线接触区。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述第一填充区内形成位线结构的步骤包括：

在所述第一填充区内形成层叠设置的位线接触和位线，所述位线和所述位线接触构成位线结构。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，去除位于所述导电支撑条的顶面上的所述初始隔离结构的步骤之后，在所述第一填充区内形成位线结构的步骤之前，所述制备方法还包括：

去除部分所述有源结构，以形成与所述第一填充区连通的第二填充区，所述第二填充区暴露剩余所述有源结构的部分侧面。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述导电支撑条的材质为非掺杂多晶硅，所述位线接触的材质为掺杂多晶硅。

10.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在所述第二填充区和部分所述第一填充区形成所述位线接触；所述位线接触朝向所述基底端部具有延伸部，所述延伸部填充满所述第二填充区，以覆盖所述有源结构暴露在所述第二填充区的侧面。

11.根据权利要求2或6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，去除至少部分厚度的所述导电支撑条的步骤之后，还包括：

沿所述第一方向去除所述第一填充区暴露的所述初始隔离结构的部分侧壁，以扩大所述第一填充区在所述第一方向上的宽度。

12.根据权利要求1-9任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，提供具有多个有源结构的基底的步骤之后，所述制备方法还包括：

向所述位线接触区内加入修复物质，并在预设温度下对所述有源结构进行修复。