[发明专利]基于多腔CVD设备的腔体温度控制系统在审
申请号: | 202211002884.5 | 申请日: | 2022-08-19 |
公开(公告)号: | CN115341199A | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 黎静;田青林 | 申请(专利权)人: | 江苏实为半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 江苏长德知识产权代理有限公司 32478 | 代理人: | 刘威威 |
地址: | 221300 江苏省徐州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及CVD设备的腔体温度控制领域,公开了基于多腔CVD设备的腔体温度控制系统,所述多腔CVD设备的腔体温度控制系统包括主控模块,主控模块包括显示单元和处理单元,且主控模块用于接收、处理整个系统的数据传输,并对其他设备发送控制命令,位置定位模块包括多个位置定位单元,腔体对应安装的位置定位单元用于对CVD设备中此腔体的位置进行定位,温控模块包括多套磁控管单元,且每套磁控管单元包括一个磁控管冷却仪器和磁控管加热仪器,测温模块用于对CVD设备每个腔体的位置进行温度检测,计算分析模块用于计算腔体内部达到的最终温度,判断对比模块用于腔体内部最终温度是否达到工作所需的温度,判断温度是否达到预期值,减少温度误差。 | ||
搜索关键词: | 基于 cvd 设备 体温 控制系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏实为半导体科技有限公司,未经江苏实为半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202211002884.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的