[发明专利]基于多腔CVD设备的腔体温度控制系统

说明书

本发明涉及CVD设备的腔体温度控制领域，公开了基于多腔CVD设备的腔体温度控制系统，所述多腔CVD设备的腔体温度控制系统包括主控模块，主控模块包括显示单元和处理单元，且主控模块用于接收、处理整个系统的数据传输，并对其他设备发送控制命令，位置定位模块包括多个位置定位单元，腔体对应安装的位置定位单元用于对CVD设备中此腔体的位置进行定位，温控模块包括多套磁控管单元，且每套磁控管单元包括一个磁控管冷却仪器和磁控管加热仪器，测温模块用于对CVD设备每个腔体的位置进行温度检测，计算分析模块用于计算腔体内部达到的最终温度，判断对比模块用于腔体内部最终温度是否达到工作所需的温度，判断温度是否达到预期值，减少温度误差。

技术领域

本发明涉及CVD设备的腔体温度控制领域，具体涉及基于多腔CVD设备的腔体温度控制系统。

背景技术

化学气相沉积是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。

化学气相沉积是在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上，故而在生产制造的过程中需要对温度进行严格控制，如果温度没有达到需求，那么涂层中的各种化学成分会随着温度的改变而气相组成发生变化，从而导致没有获得所需的梯度沉积物或者混合镀层，而在温度调控的过程中，由于输入的热量存在误差以及传热损失等会导致温度控制过程中的误差增大，造成沉积薄膜出现误差。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供基于多腔CVD设备的腔体温度控制系统，所述多腔CVD设备的腔体温度控制系统包括：主控模块、位置定位模块、温控模块、测温模块、计算分析模块和判断对比模块；

主控模块，主控模块包括显示单元和处理单元，且主控模块用于接收、处理整个系统的数据传输，并对其他设备发送控制命令；

位置定位模块，位置定位模块包括多个位置定位单元，每个位置定位单元安装在单个的腔体上，腔体对应安装的位置定位单元用于对CVD设备中此腔体的位置进行定位，获取此个腔体的位置并对其标号为X_n；

温控模块，温控模块包括多套磁控管单元，每套磁控管单元分别设置在该CVD设备的单个腔体上，且每套磁控管单元包括一个磁控管冷却仪器和磁控管加热仪器；

测温模块，测温模块包括测温仪器，其用于对CVD设备每个腔体的位置进行温度检测；

计算分析模块，计算分析模块用于计算分析输入热流量后单个腔体内部达到的最终温度T_mi；

判断对比模块，判断对比模块用于每个腔体在通入一定量的热流量后判断腔体内部传热后的最终温度T_mi是否能够达到工作所需的温度T₀，如果否，则输出对应腔体标号的温度异常信号；主控模块接收异常信号，并通过温控模块对温度异常的腔体进行调整；判断调整后的温度T_mi+1是否达到工作所需的温度T₀，如果是，则输出达标信号。

优选的，所述位置定位模块中的多个位置定位单元与主控模块电性连接，位置定位模块通过位置定位单元对与位置定位单元对应安装的此腔体进行定位，获取此个腔体在CVD设备中的位置并对其标号为X_n，腔体标记后的信号传递给主控模块进行数据收集储存和处理。